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在分子束外延(MBE)设备中, 采用高温退火的方法在6H-SiC表面外延石墨烯, 并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征. RHEED结果发现, 不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹. AFM测试表明,...
6H-SiC的A1(LO)拉曼峰低温温度特性研究
碳化硅 拉曼光谱 低温
2009/11/2
对6H-SiC单晶体材料进行了从80到320 K的低温变温拉曼光谱测量，从实验得到的谱图上指认了部分6H-SiC的折叠拉曼峰，重点利用三声子模型和四声子模型分析了A1(LO)光学声子模峰位和线宽在低温下随温度的变化特性。实验发现，随着温度降低，LO声子模谱峰中心向高波数移动，线宽减小;同时发现当温度低于160 K时，无论是谱峰中心位置还是线宽的变化都趋于平缓，这是在常温和高温下观察不到的，说明在1...
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在1350K的衬底温度下, 通过改变Si束流强度, 在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜, 并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征. RHEED 结果显示生长的薄膜为6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜. 室温下He-Gd激光激...