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搜索结果: 1-8 共查到理学 SiO相关记录8条 . 查询时间(0.045 秒)
Abstract: Using an ultrastable continuous-wave laser at 580 nm we performed spectral hole burning of Eu$^{3+}$:Y$_{2}$SiO$_{5}$ at very high spectral resolution. Essential parameters determining the u...
The detection of narrow SiO thermal emission toward young outflows has been proposed to be a signature of the magnetic precursor of C-shocks. Recent modeling of the SiO emission across C-shocks predic...
SiO-Au法制备硅纳米线     SiO-Au法  硅纳米线(SiNWs)  制备       2009/12/3
在低真空的CVD系统中直接热蒸发SiO粉末并以金为催化剂在硅衬底上制备出大量长达几十微米的硅纳米线(SiNWs), 通过X 射线衍射谱(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)和Raman光谱等技术对硅纳米线进行形貌及结构分析. 实验结果表明, 在不同生长温度下制备得到的硅纳米线质量不同, 其中在700 ℃温区生长的硅线质量最好; 与晶体硅...
研究了溶胶凝胶法制备的TiO2和SiO2光学薄膜的粒度分布函数,结果表明:膜表面的粒度大小与热处理温度及陈化时间有关,粒度分布函数可分为泊松分布,正态分布等。
利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400~600 nm之间移动。研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光)。即在样品沉积的过程中,在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性,会形成大量的Si—O悬挂键,这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷...
本文采用恒流充放电考察SiO的电化学性能,并在0.5 MHz至0.001 Hz的频率范围内,通过交流阻抗技术研究SiO电极在首次嵌锂反应中的电极过程。对不同电压区间下测得的交流阻抗图谱,提出不同的等效电路模型并对结果进行了拟合。通过拟合结果,探讨了SiO电极过程动力学以及嵌锂过程中电极界面的变化特性。
SiOx/CoO and SiO/Li2CO3 composite materials were prepared by mechanical ball-milling. The structures of the obtained materials were characterized by X-ray diffraction (XRD). And scanning electron micr...
ThecrystalstructureofbechereritefromtheTonopah-Belmontmine,Arizona,wasrein-vestigatedusingasingle-crystalX-raydiffractometer(MoK radiation)equippedwitha CCDareadetector.Thestructurewasre?nedinspacegr...

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