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中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M04课题组利用分子束外延（MBE）方法，实现生长不同厚度的铁电半导体GeTe薄膜，并对不同厚度的薄膜进行角分辨光电子能谱（ARPES）的测量。研究表明，随着薄膜厚度降低，体Rashba系数逐渐降低，满足标度律，三维Rashba效应的临界厚度为2.1(±0.5)nm，与ARPES测得的2.5 nm薄膜结果一致。在厚度为5.0nm时，...