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中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子学芯片（图）
III-V族量子点 量子光源 CMOS兼容碳化硅 集成光量子学芯片
2022/9/8
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中科院物理研究所研究人员合作，实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子学芯片。通过设计双层波导耦合器和1×2多模干涉仪（Multimode interferometer, MMI），研究团队实现了混合量子光子芯片中确定性单光子的高效路由，以及对确定性单光子二阶关联函数的片上实验测量。相关研究成果于近日以Hybrid i...
近日，中国科学院微电子研究所先导中心韦亚一研究员团队与中芯国际研究团队围绕14纳米CMOS量产工艺中光源掩模协同优化技术开展联合攻关并取得显著进展，完成了后段制程中多层关键层的光源优化工作，包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X等。优化后光源通过晶圆数据验证评估，较原有光源在各项关键指标上有显著提升，保证了先进节点中光刻工艺的稳定性，确保后续研发进程的顺利进行。
一种可用于风速测量的CMOS光点位置检测传感器的设计
光斑位置检测 CMOS 光电导效应 螺旋结构
2014/4/30
介绍了一种可用于风速风向测量的光点位置检测传感器的结构、特点、工作原理，给出了传感器的理论模型，分析了传感器测量分辨率和灵敏度。该传感器在用于大风速测量有较高的测试灵敏度。在0-20m/s测试量程内，在10V测量电压下，10m/s时风向的灵敏度为7mV/度，风速的灵敏度为2.5mv/μm。该传感器结构简单，工艺制作方便，能与CMOS工艺兼容，无温度漂移。
一种可用于单色光谱检测的CMOS层叠传感器
单色光谱 光谱检测 CMOS传感器 垂直层叠结构
2010/2/2
一种可以对单色光谱进行检测的并基于标准CMOS工艺的新型器件结构进行了制作和测试。它的基本原理是：利用器件本身两层结构对偏蓝色的短波长光和偏红色的长波长光的不同响应特性，得到器件响应值对于波长的单调递增曲线并可由此得到输入光谱的单色波长信息。文章中介绍了器件的基本工作原理，设计制作了实验性器件并对其特性曲线进行了实际的标定，最终给出了可用于单色光谱测量的器件响应和波长的对应曲线。