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搜索结果: 1-3 共查到光学 Ga2O3相关记录3条 . 查询时间(0.087 秒)
团队通过导模法生长了低浓度掺杂的Fe:β-Ga2O3单晶,并经过一系列结构和光学表征技术,研究了Fe掺杂β-Ga2O3在掺杂前后晶体微观结构的变化,证明了Fe原子在替位掺杂时优先取代八面体Ga位。研究对比了退火后费米能级和Fe3+自旋总数的改变,发现退火使费米能级下移,自旋总数减半,分析认为退火增强了β-Ga2O3晶体中Fe的俘获能力。结合上述结论可以更好的理解退火后电阻率升高的机理,为Fe掺杂β...
用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料,探讨了Au催化剂对纳米结构和形貌的影响,并研究了其光致发光特性。X射线衍射(XRD)分析显示产物为单斜结构的β-Ga2O3。扫描电子显微镜(SEM)测试表明:Au催化剂颗粒尺寸较小时,制备的产物为尺度均匀的β-Ga2O3纳米线,宽度小于100 nm,长度为几微米至几十微米;增加催化剂颗粒尺寸时,制备出的β-Ga2O3纳米结构的尺度变大,形貌由纳米线逐步...
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜, 然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线. X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明, 制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构. 利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现, 纳米线具有十分光滑且干净的表面, 其直径为40~160 nm左右, 典型的纳米线长达几十微米. 室温下以300 nm波长的光激发样...

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