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搜索结果: 1-2 共查到半导体物理学 石墨烯相关记录2条 . 查询时间(0.125 秒)
基于密度泛函理论,本文研究了氢钝化锯齿形边缘三角形石墨烯纳米片的电子结构和磁学性质,这种石墨烯纳米结构的基态表现出强烈的磁性边缘态和量子尺寸效应。我们应用多种交换关联泛函,对体系的自旋密度和电子结构进行了第一性原理计算和理论分析,结果表明三角形石墨烯纳米片的总磁矩和自旋随尺寸线性变化,平均磁矩随着尺寸变大而增加,并逐渐趋于一个定值。与此同时,体系的能隙随着尺寸增加而减小,其中自旋不变能隙的调控对光...
近日,北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异,能够满足现代电子技...

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