搜索结果: 1-3 共查到“工学 InGaN/GaN”相关记录3条 . 查询时间(0.031 秒)
运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验，分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱，发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM)，说明PSSLEDs具有较高的晶体质量。其次，PSSLEDs的EL谱半峰宽随电流增加出现了更快的展宽，而这两种LED样品的PL谱半峰宽随激光功率增加呈现了基本相...
为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管， 在（ ０ ０ ０ １） 蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统， 生长了双波长发射的Ｉ ｎ Ｇ ａ Ｎ ／ Ｇ ａ Ｎ多量子阱发光二极管结构．通过对不同Ｉｎ组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析， 结果表明Ｉ ｎ组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响．此外，用双蓝光发射的芯片来激发ＹＡＧ：...
提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN 双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN 刻蚀成纳米阵列结构. 我们使用Ni 退火形成微结构掩模, 通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN 刻蚀纳米阵列结构. 同时, 提出了两步刻蚀n-GaN 台面的制作工艺, 以此在形成p-GaN 纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN 层表面, 以此改善后续金属电极的沉积. 经测试, 含有p-Ga...