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InSb焦平面探测器高低温循环特性研究
InSb焦平面探测器 高低温循环 参数变化 可靠性
2016/8/16
制冷型InSb红外焦平面探测器工作时需降温至低温(80 K),器件在整个生命周期会经受从常温(300 K)到低温(80 K)的上千次高低温循环。针对该型探测器开展了高低温循环特性试验,测试和分析了上千次高低温循环过程中器件光电性能、杜瓦热负载和J-T制冷器特性的变化。试验结果表明,探测器可以经受至少2 000次高低温循环,并且探测率变化的幅度≤5.5%、响应率变化的幅度≤4.8%、盲元数未发生增加...
InSb红外焦平面阵列探测器湿法刻蚀
InSb 焦平面阵列 湿法刻蚀 柠檬酸/H2O2 系刻蚀剂 N2 搅拌
2016/8/24
随着大规模InSb 红外焦平面(FPA)器件的发展，探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb 红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺：使用适当比例的柠檬酸/H2O2 系刻蚀剂代替现有乳酸/硝酸系刻蚀剂，同时采用N2 气泡搅拌刻蚀装置来辅助刻蚀。通过实验对比分析表明，新刻蚀工艺可以很好地解决原湿法刻蚀横向刻蚀和下切效应，提高了刻蚀均匀性和平整度，减小了表面粗糙度，...
Si基InSb红外焦平面阵列探测器的研究
InSb 红外焦平面 金刚石点切削 Si绑定
2016/8/19
针对InSb 红外焦平面芯片中InSb 与Si 读出电路热膨胀系数不匹配导致芯片龟裂及铟柱断裂现象，开展了Si基InSb 红外焦平面探测器（FPA）的研究。运用磨抛减薄技术及金刚石点切削技术对芯片背面进行精确减薄，得到厚度为15μm的InSb芯片；研究了在InSb芯片和Si片上溅射及蒸发减反膜工艺，得到InSb芯片和Si片粘贴后红外中短波光谱的透过率高达88%；对器件的整体工艺路线进行了探索，最终...
比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb 探测器的性能，结果表明前者反偏漏电流小，击穿电压是后者的5倍，背景光电流和零偏阻抗基本相同。C-V测试结果：前者固定表面电荷密度为2×1011 cm-2，后者为1.5×1011 cm-2。两种氧化方法制备的器件经过高温高湿老化试验后，在反偏1 V时，阳极氧化器件漏电比变化率只有Photo-CVD氧化器件的50%，二者背景光电流均有增加...
真空沉积法制备InSb纳米颗粒
纳米InSb颗粒 真空蒸发沉积 原子力显微镜
2008/7/1
采用真空沉积的方法在SiO2基片上制备出了纳米InSb颗粒薄膜.利用原子力显微镜对4片样品表面进行分析,从其表面形貌图和三维图中可以观察到有粒径均匀的纳米InSb颗粒形成并且均匀地分布在SiO2基片表面.实验表明,通过改变镀膜时间可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒,并且颗粒直径与沉积时间和厚度成正比.
激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤
热损伤 InSb(PV)型探测器 高斯光束 损伤阈值
2008/3/7
摘要:在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上，采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场。通过数值分析得出了在激光辐照时，InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系，并计算出相应的损伤阈值。研究表明：在强激光连续辐照下，半导体材料InSb会发生熔融损伤，且最早发生于迎光面的光斑中心，激光的功率密度越高，造成破坏所需要的时间越短；对于一定厚度胶层的InSb(P...