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深圳市元视芯智能科技有限公司（以下简称“元视芯”）于2024年9月20日在其深圳总部隆重举行AEC-Q100车规级认证证书颁证仪式，标志着元视芯在汽车电子领域的又一重大突破。此次授证仪式，不仅是对元视芯技术实力的权威认可，更是其车规级CMOS图像传感器（CIS）产品全面迈向车载市场的重要一步。
CMOS数据转换器的基础与实现圆满举办（图）
CMOS 数据转化器
2024/10/25
2024年8月13日-14日，由国家集成电路设计深圳产业化基地(SZICC)和芯动力人才计划联合开展的2024年第二场国际名家讲堂在深圳软件园顺利举办。本次课程特邀比利时鲁汶大学ESAT-MICAS电气工程系副教授——Filip Tavernier，采用“线下视频观摩+线上专家在线答疑”的模式，进行了为期两天的《CMOS数据转换器的基础与实现》专题讲座。
近日，南方科技大学深港微电子学院陈凯教授课题组在用于量子计算数据测量与控制的低温CMOS器件的阈值电压建模领域取得重要进展，相关成果以论文“Characterizations and Framework Modeling of Bulk MOSFET Threshold Voltage Based on a Physical Charge-Based Model Down to 4 K”[1]被国...
微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展（图）
纳米 器件 集成电路
2024/2/29
随着集成电路制造技术持续演进，堆叠纳米片环栅场效应晶体管（Stacked Nanosheets GAA FET）在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管（FinFET），从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求，GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流（Ion）严重失配和阈值电压（Vth）调控困难等关键挑战，对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此，针对GAA晶...
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展（图）
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
2023/11/29
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果以“CMOS Backend-of-Line Compatible Memory Array and Logic Circuitries Enabled by High Performance Atomic Layer Deposited ZnO Thin-film Transistor”...
CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎（图）
CMOS 数据转换器
2023/11/28
2023年8月1日-2日，由国家集成电路设计深圳产业化基地和工业和信息化部人才交流中心共同组织的“芯动力人才计划第117期国际名家讲堂”在深圳成功举办。本次培训特邀澳门大学微电子研究院副院长(学术)，模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室副主任冼世荣讲授CMOS高性能数据转换器设计。本次培训吸引了23家企业，共计60余位集成电路工程师参加。
中国科学院微电子研究所专利：双金属栅极CMOS器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院微电子研究所 专利 单粒子 瞬态脉冲 CMOS电路
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院声学研究所专利：低噪声CMOS集成参考电压产生电路
中国科学院半导体研究所吴南健研究员、刘力源研究员带领的技术团队长期致力于高速成像芯片研究，并取得一系列重要进展。采用梯度掺杂光电二极管和非均匀掺杂传输管沟道的新型像素结构，有效降低电荷转移路径中的电荷势垒/势阱、电荷反弹效应和光电二极管中电荷残留，减小了拖尾现象。采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列，降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片，发表相关方向学...
高速CMOS图像传感器能将人眼无法分辨的高速过程记录下来，是观察和研究高速运动物体或瞬变现象变化过程及规律的最有效工具之一。常规的CMOS图像传感芯片实时性低、体积大、功耗高，高速低功耗CMOS图像传感芯片具备成像速度快、集成度高和功耗低的优势，可广泛应用于工业自动化、体育运动、科学观测以及航空航天等领域。
纵观过去的半个多世纪，信息工业的快速发展依赖于硅基电子器件的不断微型集成。当7nm和5nm节点的芯片已经商用，3nm甚至1nm制程已经接近极限的情况下，摩尔定律似乎已经开始走向终点。因此，发展新机制、新材料和新器件已经成为半导体行业的下一个转折点。其中，利用单个分子构建电子电路元器件得到了广泛的关注，是电子器件微小化发展的终极目标。首先，单分子器件可以使得器件的导电沟道真正达到1nm左右水平，有望...
山东大学信息科学与工程学院数学电子技术课件（大连理工制作版本）第3章第2节 CMOS门电路
山东大学信息科学与工程学院 数学电子技术 课件（大连理工制作版本） 第3章 第2节 CMOS门电路
2017/4/25
山东大学信息科学与工程学院数学电子技术课件（大连理工制作版本）第3章第2节 CMOS门电路。