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中国科学技术大学实现铜碘杂化团簇基暖白光LED性能新突破（图）
铜碘杂化团簇 暖白光 LED性能
2024/3/11
近日，中国科学技术大学姚宏斌课题组基于新型铜碘杂化团簇构筑了低成本、高效率、高亮度暖白光发光二极管（LED）器件。得益于所设计的铜碘杂化团簇具备的高构型熵、高发光效率和宽光谱发射等特性，实现了高效暖白光LED器件无掺杂、低成本、大面积的溶液法涂布制备，是非铅金属卤化物LED领域的新突破。相关研究成果以"High efficiency warm-white light-emitting diodes...
2023年6月14日，中科院科技促进发展局在长春组织召开了由中科院长春光机所承担的中国科学院科技成果转移转化重点专项（弘光专项）项目“绿色超高清集成封装LED显示技术研发及产业化”第一阶段第一节点验收会议。中科院科技促进发展局武斌副局长、知识产权处邱显杰副处长，长春光机所孙守红所务委员、成果转化处吕宝林副处长、财务管理处周舒副处长，项目评审专家组、项目组成员参加了验收会，会议由邱显杰副处长主持。
中国科学院理化技术研究所专利：一种带有侧面出风口的LED散热封装结构
中国科学院福建物质结构研究所专利：一种利用基板高漫反射光学设计进行高效LED芯片封装方法
Silanna UV推出远紫外和深紫外LED新品
Silanna UV 远紫外 深紫外 LED
2022/10/17
近日，澳大利亚UVLED厂商的SilannaUV推出了最新远紫外和深紫外LED封装产品，新品利用了SilannaUV专有的短周期超晶格(SPSL)技术，该技术可为230-265nmLED器件提供高性能表现，包括为235nm器件提供量产产品中最高的输出功率。
半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
ROHM针对包括PLC等控制装置在内的FA装置、调制解调器和路由器等通讯控制装置的指示灯和数字显示，研发出将微发光应用优化的1608尺寸（1.6mm×0.8mm）LED「CSL1901系列」。
近期，中国科大微电子学院孙海定和龙世兵课题组关于利用蓝宝石衬底斜切角调控量子阱实现三维载流子束缚，突破了紫外LED发光性能的重要进展。相关研究以“Unambiguously Enhanced Ultraviolet Luminescence of AlGaN Wavy Quantum Well Structures Grown on Large Misoriented Sapphire Subst...
南昌大学硅基黄光LED技术达世界领先水平（图）
南昌大学 硅基黄光 LED技术 世界领先水平
2019/7/24
2019年7月12日，2019世界半导体照明产业发展论坛暨南昌临空经济区光电产业招商推介会在南昌举行。活动中，来自国内外LED领域的权威专家、30多个国家和地区的采购商、设计师代表，以及国内100多家半导体照明产业领军企业的负责人汇聚一堂，共话世界半导体照明产业发展的新趋势、新动力。此次论坛由南昌市政府、省工业和信息化厅主办，南昌临空经济区、中国照明电器协会承办。活动中，围绕“挖掘半导体照明产业发...
最近，中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作，开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底，并提出了等离子体预处理改性石墨烯，促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。通过DFT计算发现，等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮，可以有效促进AlN薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质AlN薄膜，其具有低应力、较低的位错密度，深紫外LED器件表现出了...
淮南联合大学单片机原理及应用课件项目5 LED点阵显示单元设计。