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新年伊始,国家宽禁带半导体工程中心共建单位­­——陕西半导体先导技术中心迎来了完全自主产权的“龙头”产品——3300V 60mΩ SiC MOSFET的问世,即将于3月份面市。此款产品被命名为“龙头3300-60”,是先导中心和西安电子科技大学经过多年技术积累,攻克各项关键技术难题脱颖而出的佼佼者,也是高校核心技术与企业市场优势完美结合的明星产品。
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFETmetal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
中国科学院微电子研究所专利:MOSFET及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利:MOSFET制造方法
中国科学院微电子研究所专利:用STI的拐角应力增强MOSFET性能
中国科学院微电子研究所专利:一种MOSFET结构及其制造方法
随着可再生能源的快速发展,储能变流器在新能源电网中发挥着至关重要的作用。本文针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元,其中包含10 kV高压交流模块和750 V低压直流模块,重点研究了功率单元的低感设计和散热设计方法,并提出了功率单元的整体设计方案。通过优化叠层母排的结构,将高压交流模块与低压直流模块的杂散电感分别降低至794μH和235μH,有效减小功率单元的关断过电压。通过热仿真研究,...
高效的正激变换器常利用高频谐振实现磁复位及软开关。高频下,MOSFET非线性寄生电容对谐振的影响更加明显,不仅导致谐振点偏移,软开关失效,更可能令磁芯无法正常谐振复位。为计算在非线性寄生电容影响下的谐振参数,利用Simplis搭建仿真模型,并推导基本数学表达式;利用分段线性法计算谐振过程中电容充放电时间,并根据能量守恒建立谐振参数取值的约束方程组。计算所得的谐振参数可在不降低频率和占空比的条件下克...
电子科技大学微电子器件课件5-9 MOSFET的结构及发展方向。
电子科技大学微电子器件课件5-6 MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性。
电子科技大学微电子器件课件5-5 MOSFET的直流参数与温度特性。
电子科技大学微电子器件课件5-4 MOSFET的亚阈区导电。
电子科技大学微电子器件课件5-3 MOSFET的输出特性。
电子科技大学微电子器件课件5-2 MOSFET的阈电压。
电子科技大学微电子器件课件5-1 MOSFET基础。

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