搜索结果: 1-15 共查到“电子技术 碳”相关记录40条 . 查询时间(0.396 秒)
Wolfspeed推出2300V碳化硅功率模块，助力清洁能源产业提升
Wolfspeed 碳化硅 功率模块 清洁能源
2024/10/14
2024年9月11日，全球碳化硅（SiC）技术引领者Wolfspeed,Inc.（NYSE:WOLF）于近日宣布推出最新2300 V无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方案经过优化设计，可带来效率、耐用性、可靠性、可扩展性的提升，将助力推动可再生能源、储能、高容量快速充电等领域的变革。这款2300 V无基板碳化硅模块针对1500 V直流母线应用开发，并采用了Wolfspeed前沿领先的200 mm碳化...
中国科大在电子束催化还原二氧化碳机制研究中取得新进展（图）
电子束 催化还原 二氧化碳
2024/1/31
二氧化碳（CO2）是主要的温室气体之一，也是丰富、廉价、可再生的C1资源。将CO2还原为甲醇、甲烷等燃料，被认为是可持续碳循环的重要途径之一。CO2还原本质是一类耗能的电子捕获过程，使用清洁能源产生电子如现有的半导体光生电子、电极电解被认为是行之有效的策略。然而，CO2分子中碳原子采用sp杂化轨道与氧原子成键，形成自由基中间体（CO2?–）的关键第一步电子转移具有非常负的氧化还原电位（相对于标准氢...
本发明用纯金属钽(Ta)做阳极,石墨(C)做阴极在氩气和酒精中,用电弧放电法制备碳包裹碳化钽(TaC)的纳米胶囊.将纳米胶囊压成0.1mm厚、1mm宽、约5mm长的长条块.将长条块固定在同样大小的绝缘板上.用银胶将输入电流电极,和输出电压电极固定在上面,旁边附热电偶,即成为一个微型低温超低频信号元件。如图29所示：元件的宽度为1mm；1和2为直流电流输入端；3是TaC的纳米胶囊压成0.1mm厚、1...
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种全碳石墨烯器件及其制备方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 全碳 石墨烯器件
2023/6/14
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种全碳石墨烯器件及其制备方法
碳纳米环带单分子器件研究获进展（图）
碳纳米环带 单分子器件 电荷传输
2023/4/11
单分子器件可用于研究电荷传输的微观机制，并可为在纳米尺度研究物质的基本物理化学性质提供理想平台。传统上，单分子器件的构建通常需要在功能分子的末端引入杂原子锚定基团，从而将分子固定在电极之间。然而，长期以来，受限于这一方法，单分子器件的研究对象主要局限于结构相对简单的线性分子体系。
单分子器件不仅能用于研究电荷传输的微观机制，还能为在纳米尺度研究物质的基本物理化学性质提供理想平台。传统上，单分子器件的构建通常需要在功能分子的末端引入杂原子锚定基团，从而将分子固定在电极之间。然而，受限于这一方法，长期以来，单分子器件的研究对象主要局限于结构相对简单的线性分子体系。
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣团队与中国科学技术大学董春华团队、华东师范大学程亚团队以及深圳国际量子研究院刘骏秋团队合作，在硅基绝缘体上碳化硅（SiCOI）平台的微腔孤子光频梳方面取得了重要进展。研究团队在利用异质集成技术制备高Q值SiC光子微腔的基础上，采用双光束泵浦方式首次在室温下实现了SiC光学频率梳的锁模。同时，通过SiC本征的二阶非线性特性，实现了光频梳从红外到可见波段的...
中国科学院微电子所等在超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究中取得进展（图）
微电子 抗辐射碳纳米管器件 电路研究
2022/11/26
新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强，是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一，并具有较强的空间应用前景。
中国科学院微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学教授张志勇、中科院国家空间科学中心副研究员陈睿合作，研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力（图1）。研究显示，局域底...
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
中国科学院微电子所在超强抗辐射碳纳米管器件与电路方向取得重要进展（图）
抗辐射碳 纳米管器件 电路方向
2023/8/21
微电子所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学张志勇教授、中科院空间中心陈睿副研究员合作，研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力（图1）。研究显示，局域底栅碳纳米管晶体管和静态随机存储器在受到2.8×1013 MeV/g的位移损伤辐照后，仍可承受2 Mrad（Si）的电离总剂量辐照和104 MeV·cm2/mg的等效激光单粒子辐照，其综合抗辐...
赝电容对于超级电容器能量密度的提升具有很大的前景。获得高性能储能的关键在于构建具有很好相互连通的开孔结构赝电容电极。然而，如何实现赝电容电极结构的一致性规模化构筑以及高活性材料负载下的快速离子/电子传输，仍然具有较大的挑战。
中科院苏州纳米所印刷电子中心赵建文研究团队专注于高性能可印刷墨水批量化制备、印刷碳基电子器件和电路构建及其在新型领域中的应用研究。近年来在印刷薄膜晶体管器件、电路和类神经元电子器件等方面发表研究论文20多篇（如JMCC, 2020, 8, 6914-6922; Carbon, 2020, 163, 145-153; Adv. Fun. Mater. 2019, 1906335; ACS AMI, ...
《科技日报》头版报眼：世界首例具有原子精度的全碳电子器件面世（图）
世界首例 原子精度 全碳电子器件 面世
2019/4/16
2019年4月16日，《科技日报》头版“最新发现与创新”栏目刊发题为“世界首例具有原子精度的全碳电子器件面世”的消息，报道我校固体表面物理化学国家重点实验室、能源与石墨烯创新平台洪文晶教授、谢素原教授与英国兰卡斯特大学柯林•兰伯特院士团队国际合作的最新研究成果。他们在国际上首次制备了以单个富勒烯分子为核心单元、石墨烯为电极的全碳电子器件，并通过富勒烯分子的分子工程学实现了对该全碳器件电...
高性能碳纳米管透明导电薄膜研究取得进展（图）
高性能 碳纳米管 透明导电薄膜
2018/5/8
最近，中国科学院金属研究所与上海科技大学物质学院联合培养的博士研究生蒋松在金属所先进炭材料研究部的导师指导下与合作者采用浮动催化剂化学气相沉积法制备出具有“碳焊”结构、单根分散的SWCNT透明导电薄膜（图1A）。通过控制SWCNT的形核浓度，所得薄膜中约85%的碳管以单根形式存在（图1B），其余主要为由2-3根SWCNT构成的小管束。进而，通过调控反应区内的碳源浓度，在SWCNT网络的交叉节点处形...
湖南大学物理与微电子科学学院陈素华博士在《Advanced Energy Materials》发文：开辟双碳电极在钠双离子电容中的应用（图）
湖南大学物理与微电子科学学院 陈素华博士 双碳电极 钠双离子电容
2018/3/27
2018年3月16日， 《先进能源材料》在线报道了我校物理与微电子科学学院陈素华博士为第一作者，题为“An Ultrafast Rechargeable Hybrid Sodium-Based Dual-Ion Capacitor Based on Hard Carbon Cathodes”的论文。双离子电池作为一种新型二次储能设备，是潜在可大规模生产的高性能动力储能设备。之前的双离子电池大多是以...