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搜索结果:
1-2
共查到
“
电子元件与器件技术 SiC
”
相关记录2条 . 查询时间(0.209 秒)
SiC
电力电子器件关键技术及应用
SiC
电力
电子器件
2023/8/14
SiC
电力电子器件关键技术及应用。
存档文本
原文地址
文献传递
6H-
SiC
NMOS与PMOS温度特性分析
碳化硅
补偿电流源
冻析效应
2009/2/1
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对
SiC
MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-
SiC
NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.
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