搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术 CMOS”相关记录43条 . 查询时间(0.093 秒)
微电子所在新型纳米环栅CMOS工艺与器件技术方面取得重要进展(图)
纳米 器件 集成电路
2024/2/29
随着集成电路制造技术持续演进,堆叠纳米片环栅场效应晶体管(Stacked Nanosheets GAA FET)在3纳米以下节点将替代传统鳍型晶体管(FinFET),从而进一步推动半导体产业发展。但面对大规模制造的需求,GAA晶体管技术还需突破N型与P型器件工作电流(Ion)严重失配和阈值电压(Vth)调控困难等关键挑战,对纳米片沟道材料以及高 金属栅材料提出了更多技术创新要求。因此,针对GAA晶...
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展(图)
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
2023/11/29
CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎(图)
CMOS 数据转换器
2023/11/28
高速CMOS图像传感器能将人眼无法分辨的高速过程记录下来,是观察和研究高速运动物体或瞬变现象变化过程及规律的最有效工具之一。常规的CMOS图像传感芯片实时性低、体积大、功耗高,高速低功耗CMOS图像传感芯片具备成像速度快、集成度高和功耗低的优势,可广泛应用于工业自动化、体育运动、科学观测以及航空航天等领域。
北京大学信息科学技术学院彭练矛-张志勇教授课题组在《科学》发表5nm碳纳米管CMOS器件研究成果(图)
北京大学信息科学技术学院 彭练矛-张志勇教授课题组 科学 5nm碳纳米管 CMOS器件 集成电路
2017/3/2
集成电路发展的基本方式在于,在晶体管尺寸缩减的前提下,研制性能更强大、集成度更高、功能更复杂的芯片。目前,主流CMOS(互补金属氧化物半导体)技术将达到10 nm(纳米)的技术节点,后续由于受到来自物理规律和制造成本的限制而很难继续提升,“摩尔定律”可能面临终结。20多年来,科学界和产业界一直在探索各种新材料和新原理的晶体管技术,以期替代硅基CMOS技术,然而迄今为止,尚未实现10 nm新型CMO...
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第九章 CMOS数字IC的版图设计。
电子科技大学成都学院集成电路原理课件第七章 CMOS基本逻辑单元。
A 640 512 CMOS Image Sensor with Ultrawide Dynamic Range Floating-Point Pixel-Level ADC
Analog-to-digital conversion (ADC) CMOS image sensors digital cameras dynamic range image sensors mixed analog–digital integrated circuits pixel-level ADC video cameras
2015/8/12
Analysis results demonstrate that multiple sampling can achieve consistently higher signal-to-noise ratio at equal or higher dynamic range than using other image sensor dynamic range enhancement schem...
A Nyquist-Rate Pixel-Level ADC for CMOS Image Sensors
Analog-to-digital conversion cameras CMOS image sensors image sensors mixed analog–digital integrated circuits pixel-level analog-to-digital converter (ADC) video cameras
2015/8/12
A multichannel bit-serial (MCBS) analog-to-digital converter (ADC) is presented. The ADC is ideally suited to pixel-level implementation in a CMOS image sensor. The ADC uses successive comparisons to ...
N3ASICS: Designing Nanofabrics with Fine-Grained CMOS Integration
NASIC N3ASIC nanowires nano-CMOS hybrid systems 3-D integration
2014/12/8
Nanoscale-computing fabrics based on novel materials such as semiconductor nanowires, carbon nanotubes, graphene, etc. have been proposed in recent years. These fabrics employ unconventional manufactu...
On Detection, Analysis and Characterization of Transient and Parametric Failures in Nano-scale CMOS VLSI
Automatic Test Pattern Generation Crosstalk Design-for-Testability Integrated Circuit Intermittent Failure Soft Error
2014/11/7
As we move deep into nanometer regime of CMOS VLSI (45nm node and below), the device noise margin gets sharply eroded because of continuous lowering of device threshold voltage together with ever incr...