搜索结果: 1-12 共查到“半导体器件与技术 CMOS”相关记录12条 . 查询时间(0.14 秒)
CMOS数据转换器的基础与实现圆满举办（图）
CMOS 数据转化器
2024/10/25
2024年8月13日-14日，由国家集成电路设计深圳产业化基地(SZICC)和芯动力人才计划联合开展的2024年第二场国际名家讲堂在深圳软件园顺利举办。本次课程特邀比利时鲁汶大学ESAT-MICAS电气工程系副教授——Filip Tavernier，采用“线下视频观摩+线上专家在线答疑”的模式，进行了为期两天的《CMOS数据转换器的基础与实现》专题讲座。
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展（图）
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
2023/11/29
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果以“CMOS Backend-of-Line Compatible Memory Array and Logic Circuitries Enabled by High Performance Atomic Layer Deposited ZnO Thin-film Transistor”...
中国科学院微电子研究所专利：双金属栅极CMOS器件及其制造方法
高速CMOS图像传感器能将人眼无法分辨的高速过程记录下来，是观察和研究高速运动物体或瞬变现象变化过程及规律的最有效工具之一。常规的CMOS图像传感芯片实时性低、体积大、功耗高，高速低功耗CMOS图像传感芯片具备成像速度快、集成度高和功耗低的优势，可广泛应用于工业自动化、体育运动、科学观测以及航空航天等领域。
纵观过去的半个多世纪，信息工业的快速发展依赖于硅基电子器件的不断微型集成。当7nm和5nm节点的芯片已经商用，3nm甚至1nm制程已经接近极限的情况下，摩尔定律似乎已经开始走向终点。因此，发展新机制、新材料和新器件已经成为半导体行业的下一个转折点。其中，利用单个分子构建电子电路元器件得到了广泛的关注，是电子器件微小化发展的终极目标。首先，单分子器件可以使得器件的导电沟道真正达到1nm左右水平，有望...
0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计
静电放电 保护电路 反馈
2009/10/21
为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路．该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件，同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度，使得保护电路能够及时关闭，避免箝位器件栅极电流保持过长时间，保护了箝位器件的栅极．此外，该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件，节省了电路的成本．
0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
亚微米LDD器件 模拟 可靠性
2009/9/1
针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。
新型CMOS JK触发器
CMOS JK触发器 开关级设计
2009/4/17
该文以双反相器闩锁电路为基本存贮单元,采用开关级设计方法设计出一种新型的CMOS JK触发器。与传统设计相比,新设计具有较简单的结构、较少的元件以及较快的工作速度。
Design of High-Speed CMOS Ics for 10 Gbit/s Optical Communication System
Design CMOS Ics Optical Communication System
2010/7/15
In this paper, the intrinsic disadvantages of the nowadays low-cost deep-submicron digital CMOS technologies in respect of the design of high-speed optical communication (OC)
systems front-end integr...
A silicon LED in standard CMOS technology for optical interconnection
silicon LED CMOS optical interconnection
2010/7/16
A silicon light emitting device is designed and simulated. It is fabricated in 0.6μm standard CMOS technology. The device can give more than 1μW optical power of visible light under reverse breakdown....
CMOS ICs Design for Gb/s Optic-Fiber Transmission Systems
CMOS ICs Gb/s Optic-Fiber Transmission Systems
2010/7/15
As tele- and data-communications develop rapidly, optic-fiber networks are widely implemented and the data speeds of the systems are higher and higher. Accordingly, ultra-high speed ICs for different ...