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优异的热稳定性和耐毒性等关键性能指标对开发实用型的单原子催化剂至关重要。铂基催化剂凭借其优异的催化活性被广泛应用于VOCs的催化氧化，然而，实际工况下VOCs废气组分复杂，铂单原子催化剂由于高暴露的原子活性位点极易与H2O、SO2等杂质气体大面积接触而发生中毒失活的现象。因此，研究人员重点致力于提高单原子Pt催化剂在VOCs催化燃烧领域的耐毒性研究。特别是含水工况下，单原子Pt基催化剂极易失活，限...
中国科学院科学家发展出高品质Si/Ge半导体纤维及其柔性传感器（图）
半导体纤维 柔性传感器
2024/2/22
2024年2月1日，中国科学院深圳先进技术研究院材料所光子信息与能源材料研究中心杨春雷课题组陈明研究团队，联合新加坡南洋理工大学教授魏磊和中国科学院外籍院士高华健团队、中国科学院苏州纳米所研究员张其冲团队，在《自然》（Nature）上发表了题为High-quality Semiconductor Fibres via Mechanical Design的研究论文。该研究报道了一种基于热拉制工艺的大...
Rosin-Based Si/P-Containing Flame Retardant Toward Enhanced Fire Safety Polyurethane Foam
bio-resource flame retardant rosin synergistic effect
2023/12/4
Environmentally friendly flame retardant such as polysiloxane has long been sought for varied studies in recent years and can be further improved to overcome the challenges of additional applications....
中国科学院金属研究所专利：医用可吸收Mg-Si镁合金
中国科学院金属研究所 专利 医用可吸收 Mg-Si 镁合金
2023/11/17
本发明涉及一种可以应用于医用植入材料的可生物吸收镁合金,特别适合作 为人体环境下使用的可腐蚀降解骨植入材料和可降解支架材料。它含有(重量％)： 硅(Si)0.5-5.0％,镁(Mg)余量,可能含有少量的微量元素锰(Mn)、钙(Ca)、 稀土(RE)和钇(Y),每种元素含量不超过1.5％,总含量不超过2.0％。本发明 的材料具有良好的生物相容性和力学性能,在血管介入治疗的支架和可吸收骨固 定器械如骨...
宁波材料所在Accounts of Chemical Research上发表封面综述：用于聚合物刷表面工程的零价金属介导表面可控聚合（SI-Mt0CRP）技术（图）
聚合物 金属介导 仿生润滑
2023/11/4
聚合物刷是指分子链一端以化学键合固定在固体基材表面的聚合物层。当附着在界面或者固体表面的聚合物分子链密度足够高时，由于分子链之间强的排斥力而形成高度伸展的构象，类似于刷子的结构。因而，聚合物刷具有接枝密度高、结构可控性强、功能特性可调等特点，在仿生润滑、表面防污、生物传感和组织工程等领域具有广阔的应用前景，是先进高分子材料领域的重要发展方向之一。表面引发原子转移自由基聚合（SI-ATRP）是目前制...
本发明属于钢铁冶炼脱氧技术领域,是一种用于钢水脱氧的Si-Ca-Al-Mg-RE复合脱氧剂及其制备方法,复合脱氧剂在转炉、电炉出钢过程中或RH、LF、VD等精炼过程中加入,对钢水进行脱氧。该合金由下述重量百分比的组分组成：Si?40～50%、Ca?10～12%、Al?3～4%、Mg?1～1.5%、RE?10～20%,余量为铁。其制备方法为：1)采用真空炉冶炼,将熔炼炉抽真空并充入保护气体；2)炉温...
中国科学院化学研究所专利：一种Si-C-O微纳米多孔陶瓷及其制备方法
中国科学院化学研究所 专利 Si-C-O 微纳米 多孔陶瓷
2023/7/20
中国科学院化学研究所专利：一种Si-C-O微纳米多孔陶瓷及其制备方法
中国科学院理化技术研究所专利：Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法
中国科学院理化技术研究所专利：Si/Mn27Si47核壳结构纳米线阵列的制备方法
中国科学院理化技术研究所专利：Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47纳米线阵列的制备方法
中国科学院理化技术研究所 专利 Mn27Si47-Si 异质结构 纳米线阵列 Mn27Si47纳米线阵列
2023/4/23
中国科学院理化技术研究所专利：Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47纳米线阵列的制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种基于巨磁热La-Fe-Co-Si的多铁复合材料及其制备方法和用途
合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展（图）
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2023/1/5
近日，合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像（single-pixel imaging），设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管，在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
场效应晶体管（FET）是半导体芯片的核心部件，其尺寸大小决定了芯片的集成密度。而FET晶体管的终极物理尺寸，很大程度上取决于在栅极处Si/SiO2界面的结构和性能：界面的尺寸过大会导致集成度降低，芯片性能下降；界面的尺寸小，晶体管中源极到漏极之间的电流会受到量子隧穿效应的影响，导致明显的漏电和高的能耗。当前芯片中晶体管的栅极长度（即源极到漏极间的距离）实际上已经达到了几纳米的尺寸，如台积电最新的5...
硅（Si）是地球中丰度第三高的元素，也是地壳中丰度第二高的元素。虽然高温岩浆活动和变质作用通常产生较小的Si同位素分馏，但低温化学反应和生物过程所导致的Si同位素分馏却十分显著。因此，全岩和/或矿物Si同位素已被广泛用作壳内重熔和壳-幔相互作用的示踪剂。锆（Zr）是高场强元素之一，也是后期蚀变和化学风化过程中最不活动的元素，其稳定同位素体系可以敏感地示踪硅酸盐岩浆系统的分异过程。