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ChatGPT等大语言模型的出现进一步促进了人工智能(AI)技术的发展，这些生成式模型本质上是以概率和统计原理为基础的大规模概率神经网络。尽管这些模型具有非凡的能力，但训练这些模型是一项计算密集型任务。随着传统CMOS技术发展放缓，经典的冯·诺依曼计算架构面临着严重的“内存墙”和“功耗墙”问题，而基于新兴的自旋轨道力矩驱动型磁性隧道结(SOT-MTJ)等非易失性存储技术，因其数据非易失性和高速高效...
中国科学院微电子所在SOT-MRAM的关键集成技术领域获进展（图）
微电子所 集成技术 电子器件
2023/3/15
磁随机存储器（MRAM）因具有非易失性、低功耗以及高访问速度等特点，在未来新兴存储领域颇具应用前景。尤其是基于自旋轨道矩（SOT）技术的MRAM存储器具有超高速、高耐久性的优势，更适用于高速缓存。然而，在SOT-MRAM集成中存在技术瓶颈，制约了其走向应用。隧道结的刻蚀工艺是关键的技术挑战和难点之一。在SOT隧道结（SOT-MTJ）刻蚀过程中，金属副产物的反溅使得MTJ的MgO隧穿势垒层（厚度~1...
自旋逻辑器件由于具有非易失性、低功耗以及易于小型化等优点，尤其是基于SOT的自旋逻辑器件具有高速、高耐久性，因而更加适合存内计算领域的应用，具有较大应用潜力。然而，目前报道的SOT逻辑器件大都是以双极性电信号的形式进行逻辑操作，需要额外的辅助电路对给定电信号进行转化从而完成逻辑操作（图1a），导致该电路结构复杂，能量和面积的开销大，严重阻碍了自旋逻辑器件在低功耗和高密度集成领域的应用。
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器(MRAM)研究领域取得进展。实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM(Spin-Transfer Torque MRAM)由于在写入过程中，电子自旋在磁性功能层表面的透射和反射效率不同，写入电流...
关于组织参加美国第五十三届毒理学年会（SOT-2014）和第四届全球QA大会(4thGQAC)的通知
美国 第五十三届毒理学年会 SOT-2014） 第四届全球QA大会 4thGQAC 通知
2013/9/17
第五十三届美国毒理学年会（SOT-2014）将于2014年3 月23 -27 日在亚利桑那州菲尼克斯（Phoenix，也称凤凰城）举行，论文摘要投稿截止期为2013年10月7日，各项奖励/旅行资助申请截止日期为2013年10月9日。