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SOI多环级联光学谐振腔滤波器
光波导 多环级联 滤波器 滚降垂直度
2013/10/15
利用MEMS工艺制备了基于SOI的小尺寸、高集成光波导多环级联谐振腔滤波器,理论分析了多环级联微环腔的光场传输特性与光谱响应特性,实验验证并得到了不同级联环数与谐振谱线滚降垂直度的关系。研究表明:当波导宽度为450 nm、半径为5 μm时,单环、双环和十环滤波器响应谱线的-3 dB带宽分别为0.313, 0.279, 0.239 nm,相应结果与理论吻合,即随着级联环数的增多,谐振谱线顶端趋于平坦...
本文主要针对目前SOI（Silicon-on-insulator）纳米光波导结构弯曲损耗严重的问题，系统地进行了理论仿真分析，设计出最佳的纳米波导结构，并采用ＭＥＭＳ工艺对其进行加工制备与优化处理。后利用了SEM（扫描电子显微镜）、AFM（原子力显微镜）、透射谱功率法等研究手段精确测试了在高纯氮退火和BOE腐蚀后处理不变的情况下，不同温度热氧化退火处理下的波导侧壁粗糙度和对应的弯曲损耗，结果表明：...
采用双埋层SOI(Silicon-On-Insulator)材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁厚度的精度为±0.46 μm。分析了双埋层SOI材料的电学特性,采用等电位技术,实现了双埋层SOI与上下两层硼硅玻璃的阳极键合。采用玻璃无掩...
Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts
SIMOX SOI total dose radiation effect MOS transistors
2009/8/13
Partially-depleted Silicon-On-Insulator Negative Channel Metal Oxide Semiconductor (SOI NMOS) transistors with different layouts are fabricated on radiation hard Separation by IMplanted OXygen (SIMOX)...
硅基二氧化硅波导和SOI脊型波导应力双折射研究
光波导 应力 双折射 有限元方法
2007/12/18
采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI（Silicon on Insulator）脊型波导内部残留热应力引起的双折射.对于硅基二氧化硅波导，应力双折射系数的数量级为10－4，对于上包层为空气的SOI脊型波导，该系数的数量级为10－5，对于上包层为SiO2的SOI脊型波导，该系数的数量级为10－3，可见在硅基二氧化硅波导和上包层为SiO2的SOI脊型波导中产生了大的应力双折射，而在上包层为空气...
不同结构SOI交叉波导的损耗及串扰特性研究
2007/8/20
利用高阶Pade近似的2D-BPM算法,对具有不同弯曲半径及交叉角度的SOI弯曲交叉波导的传输特性进行了模拟、分析和深入研究,发现交叉波导的串扰随弯曲半径及交叉角度增大而减小的规律.在此基础上,对由正弦弯曲、余弦弯曲以及圆弧弯曲三种弯曲波导构成的SOI交叉波导的损耗及串扰特性进行了分析比较.结果表明,由正弦弯曲构成的交叉波导传输损耗最小且串扰最小.
大截面SOI脊型波导单模条件的研究
2007/8/20
利用有限差分方法（FDM）对大横截面SOI（Silicon-on-insulator）脊型光波导的本征模进行了计算分析, 从而确定了SOI脊型波导的单模条件, 即归一化外脊高和归一化脊宽的关系. 通过比较, 进一步明确了归一化外脊高大于0.5时现有的单模条件解析公式中常数项的取值为0.3. 同时, 还对归一化外脊高小于0.5时的单模条件也做了计算和讨论.