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中国科学院半导体研究所等在垂直亚铁磁单层膜中发现新型自旋轨道矩(图)
垂直亚铁磁 单层膜 自旋轨道矩
2022/9/21
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室成昭华课题组利用分子束外延技术生长出高质量的铁电Rashba半导体薄膜α-GeTe。前期的角分辨光电子能谱(ARPES)测量结果显示,α-GeTe同时具有表面和体Rashba能带结构,其体Rashba系数可至~4.3 eVÅ,对应的自旋劈裂能高达~2300 KBT【Xu Yang et al., Nano Lett. 21...
中国科学院半导体研究所在垂直磁各向异性材料MnGa研究方面取得重要进展
垂直 磁 磁各向异性 MnGa
2012/8/14
最近,国际期刊《先进材料》报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生朱礼军的最新研究成果——制备出室温环境中同时具有超高垂直矫顽力、超强垂直磁各向异性和大磁能积MnGa单晶铁磁薄膜。