搜索结果: 1-15 共查到“电子物理学 半导体”相关记录25条 . 查询时间(0.117 秒)
“量子”学术沙龙第三期：杂化半导体中的自旋量子态调控（图）
量子 学术沙龙 杂化半导体 自旋量子态
2023/5/11
2023年4月27日下午15:00，“量子”学术沙龙活动第三期在格物楼502智慧教室举行，报告由翟亚新教授主讲，廖洁桥副院长主持，学院钟显辉教授、任昌亮教授等四十余位师生参加了活动。
在实现量子计算的多种方案中，基于马约拉纳零能模的拓扑量子计算有望从物理原理层面解决量子退相干问题，受到广泛关注。理论预言，具有强自旋轨道耦合的窄禁带半导体InAs和InSb纳米线与超导体耦合，可以实现马约拉纳零能模和拓扑量子计算。然而，由于窄禁带半导体纳米线与常规超导体之间晶格失配很大，高质量样品的制备一直是制约半导体-超导纳米线拓扑量子计算研究的关键难题。
利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储，开展相关自旋电子材料与器件的物理研究。探索高性能自旋电子材料制备，研究自旋的注入及自旋轨道耦合相关物理现象与效应；实现全电学的自旋调控，研制自旋存储、逻辑及自旋人工智能器件。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向半导体中的新奇量子现象
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 半导体中的新奇量子现象 半导体 量子现象
2022/10/4
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象，发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用，旨在解决当前半导体科技中的关键问题，包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。
单晶金刚石的半导体应用以及“弹性应变工程”（图）
单晶金刚石半导体 金刚石单量子系统 碳基半导体
2022/3/7
近期，香港城市大学陆洋教授课题组系统总结并展望了金刚石（人造钻石）的半导体应用潜力及其在微纳尺度下“弹性应变工程”所带来的新机遇。文章综述了学术界与业界基于金刚石实验建模和构建的高压开关二极管、大功率高频场效应晶体管、微/纳机电系统以及在高温下工作的器件等多方面的努力，讨论了解决金刚石器件规模化应用的一些积极进展，并强调高质量化学气相沉积（CVD）大尺寸单晶金刚石薄膜的制备需求以及电子级应用下单晶...
近日，我校物理学院缪峰教授课题组与意大利Salerno大学的Antonio Bartolomeo教授合作，系统研究了基于PdSe2的场效应晶体管转移特性曲线中出现的回滞现象，首次展示了压强可调的回滞行为和双极性电导。合作团队首先制备了PdSe2场效应晶体管器件（图a），在转移特性曲线中观察到回滞现象（图b），通过仔细分析回滞窗口的宽度与栅压范围以及栅压扫描时间的变化关系（图c），指出这种回滞现象有...
半导体量子比特高效调控取得重要进展
半导体 量子比特
2018/1/12
开发与现代半导体工艺兼容的电控量子芯片是量子计算机研制的重要方向之一。由于固态系统存在着电荷噪声、核磁场等各种退相干机制，不同形式的编码方式都有一定局限，比特的超快操控与长相干往往不可兼得。在国家重点研发计划“量子调控与量子信息”重点专项项目“半导体量子芯片”的支持下，中国科学技术大学郭国平教授研究组在半导体量子芯片中，创新性地引入第三个量子点作为控制参数，在保证新型杂化量子比特相干性的前提下，成...
山东大学2017年硕士研究生招生考试自命题半导体物理考试大纲。
中国科学技术大学谢毅课题组和中科院合肥物质科学研究院强磁场科学中心研究人员利用稳态强磁场实验装置（SHMFF）电子自旋共振测试系统成功揭示：利用磁性离子掺杂和全取代宽禁带半导体量子点来实现相互关联的热电三参数的协同调控。
2013年7月30日，由北京大学信息科学技术学院“千人计划”教授徐洪起担任首席科学家的国家重大科学研究计划“新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件”项目中期总结会议在中关新园举行。
2013年7月30日，由北京大学信息科学技术学院“千人计划”教授徐洪起担任首席科学家的国家重大科学研究计划“新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件”项目中期总结会议在中关新园举行。
由北京大学信息科学技术学院“千人计划”特聘教授徐洪起博士担任首席科学家的国家重大科学研究计划“新型高性能半导体纳米线电子器件和量子器件”项目启动会在中关新园举行。
首个塑料计算机存储器演示成功--电子自旋材料有望替代传统半导体
首个 塑料计算机存储器 电子自旋材料 传统半导体
2010/8/18
据美国物理学家组织网2010年8月9日报道，俄亥俄州立大学科学家演示了世界上第一个塑料计算机存储设备，该设备利用电子自旋来读写数据，能以更小的空间存储更多数据，处理程序更快而且更加节能。这种磁性聚合物半导体，是第一个能在室温下运行的有机基磁体。在最新一期《自然材料》杂志上，科研人员详述了如何用今天的主流计算机工业技术来制造这种塑料电子自旋器件。该器件是一片深蓝色的有机材料磁体，被铁磁体分成层状，与...
X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层
X射线驻波 异质结构 偏析 原子占位
2009/6/12
利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构.实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1－x合金层,浓度平均值为x≈0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层.
电子对於原子半导体晶格的形变作用
2007/12/13
乾根—别卡曾经分析过原子晶体中的极化子问题。文中指出,其中弹性形变的考虑是不正确的,而且“绝热型”的极化子,在例如Ge,Si等原子晶体中存在的可能性是十分微小的。以微扰论为基础的计算证明,电子引起的局部体积变化发生在半径≈λ的范围内,λ是以声速运动的电子的德布罗意波长。局部体变的数值等於E/(α+4/3μ)(E为形变势常数,α和μ分别为体变和切变模量)。局部体变还在样品中引起一个均匀的形变,两者合...