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中国科学院半导体所在异质外延生长新技术方面取得重要进展（图）
芯片材料 原子 沉积
2024/4/22
高端芯片制造是我国科技高速发展的瓶颈，而材料外延生长是芯片制造的前端工艺和基础。分子束外延(MBE)凭借其对原子层沉积的精准控制，已成为芯片原子级制造的重要手段之一。然而，在半导体外延制造过程中，芯片材料的异质异构特性以及生长环境的波动使得缺陷难以避免，严重影响了芯片的性能和良率。
准一维电荷有序半导体(NbSe4)3I低温物性研究
(NbSe4)3I 准一维材料 拉曼散射 I-V曲线
2022/3/15
近期,准一维电荷密度波（CDW）材料（TaSe4）2I的低温相被报道为轴子绝缘体〔Nature575,315（2019）〕,引起了广泛的关注。电荷有序半导体（NbSe4）3I与（TaSe4）2I属于同一个体系,晶体结构也表现为准一维的链状结构,低温下的物态值得进一步研究。本工作利用拉曼光谱和电输运测量实验方法对化学气相输运法（CVT）制备的高质量type-II（NbSe4）3I单晶样品进行了低温下...