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用中子活化分析法对制造器件用的半导体硅中Na,Cu,Au含量的分析
半导体硅 制造器件 中子活化分析法
2008/12/23
本文介绍了用作器件的半导体硅片表面和本体中Na,Cu,Au含量的堆中子活化分析方法。给出了探测极限。除了常用的“相对比较法”外,着重介绍了“代用标准法”。为了适应常规分析的要求,我们以铁丝作Cu和Na的代用标准,使照后的标准处理摆脱了放射性溶液操作。
利用重离子束开展半导体器件单粒子效应的探讨
重离子 单粒子效应（ＳＥＥ） 半导体器件
2008/12/18
论了利用重离子研究宇航半导体器件单粒子效应（ＳＥＥ）时应重视的几个问题，即空间辐射环境中的重离子，粒子辐射对半导体器件的影响和利用重离子束进行ＳＥＥ测试，以及重离子和质子在器件单粒子效应研究中的关系，最后介绍单粒子翻转重离子显微学。
重离子在半导体器件中引起的单粒子效应
单粒子效应 辐射损伤 软错误 加速器模拟
2010/2/25
重离子引起的单粒子效应是威胁航天器安全的重要因素之一 ,利用加速器进行地面模拟是研究单粒子效应的重要手段 .概述了单粒子效应研究的历史和现状,讨论了单粒子效应研究的基本方法 ,最后简要介绍了在兰州重离子加速器上已开展的单粒子效应研究工作. Single event effects (SEE ′s) have been observed in semiconductor device in spac...