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电沉积温度对碘化亚铜薄膜光学性质的影响
CuI薄膜 温度 结构 光致发光
2013/9/28
以ITO导电玻璃衬底,CuSO4、KI为反应溶液,EDTA为络合剂,通过简单的电化学方法分别在40,60,80 ℃的电沉积温度下成功制备出高定向的γ-CuI薄膜。讨论了不同沉积温度下碘化亚铜薄膜各项性质的差异,作为比较还利用化学沉积方法在室温下合成了碘化亚铜粉末。利用X射线衍射图(XRD)进行结构分析,场发射扫描电子显微镜(SEM)进行形貌观察。实验结果表明:碘化亚铜薄膜由三角形纳米片构成,沿(1...
指出Kretschmann模型的传统表面等离子共振(SPR)公式在求解金属薄膜的参数时存在近似性，采用更为严密的薄膜光学理论，通过薄膜膜系的特征矩阵，得出SPR衰减曲线。结果表明，SPR近似理论与薄膜光学理论得到的共振角及反射率幅度存在差别，采用等高线图，全面地给出共振角差随着金属介电常数的变化规律。进一步的实验表明，薄膜光学理论所得模拟结果较SPR近似理论与实验值吻合地更好，证明薄膜光学理论应用...
纤锌矿GaN薄膜光学性质的研究
2007/8/20
在测试大量纤锌矿GaN外延薄膜透射光谱基础上,通过对有代表性的四个样品的透射光谱进行拟合,获取了GaN外延薄膜的光学常量并计算了薄膜厚度.结果表明:GaN外延薄膜的折射率差异较小,但在370～800 nm波长范围内消光系数差异很大,GaN薄膜的消光系数差异在一定程度上可用以评价外延薄膜的质量.
Ge2Sb2Te5薄膜光学性能和短波长静态记录特性的研究
2007/8/20
利用直流磁控溅射制备了单层Ge2Sb2Te5薄膜,研究了薄膜在400～800 nm区域的反射、透过光谱,计算了它的吸收系数,发现薄膜在400～800 nm波长范围内具有较强的吸收.随着薄膜厚度的增加,相应的禁带宽度Eg也随之增加.对Ge2Sb2Te5薄膜光存储记录特性的研究发现,在514.5 nm波长激光辐照样品时,薄膜具有良好的写入对比度,擦除前后的反射率对比度在6%~18%范围内.对实验结果进...
Ge2Sb2Te5相变薄膜光学及擦除性能研究
2007/8/20
利用蓝绿激光对非晶态Ge2Sb2Te5 相变薄膜进行擦除性能的研究,分别用1000 ns，500 ns，100 ns，60 ns脉宽的蓝绿激光进行实验.结果表明，一定脉宽下，反射率对比度随擦除功率的增加而增大.并且，在1000 ns，500 ns，100 ns，60 ns的激光作用时间范围内，非晶态薄膜均可转变成晶态.对于脉宽为60 ns的蓝绿激光，擦除功率大于4.49 mW以后，薄膜的反射率对比...