搜索结果: 121-135 共查到“凝聚态物理学 薄膜”相关记录249条 . 查询时间(0.174 秒)
利用溶剂法工艺成功制作了炭黑/硅橡胶导电复合薄膜（厚度约0.1mm），对其进行了拉伸、压缩及温度敏感性试验。测试结果表明，试样具有优良的拉-敏传感特性，随着拉伸变形的增大（应变达到25%）试样电阻不断增大，且电阻-应变之间具有较好的线性关系。压缩过程中，随着压力的增大（压力达到30MPa）试样电阻增大，两者同样具有较好的线性关系。温敏试验表明，试样电阻随温度的下降而降低，且趋势相似。研究结果表明，...
温度梯度制备宽波反射液晶薄膜
液晶 手性 宽波反射 温度梯度
2014/3/21
合成了大螺旋扭曲力的手性化合物4,4'-2(戊基-环己基)苯甲酸异山梨醇酯(ISBB)。对60.0 μm厚ISBB/液晶性单体/向列相液晶/光引发剂复合体系的液晶层的上、下表面温度施加不同温度,液晶层中形成了温度梯度。由于高温区域的液晶溶解ISBB的能力强,低温区域的ISBB会向高温区域扩散,从而在液晶薄层中形成了ISBB的浓度梯度与螺距梯度。紫外光聚合复合体系中的光可聚合单体,单体间交联聚合形成...
石墨烯电极有机薄膜晶体管研究
有机薄膜晶体管 层状石墨烯 图案化 电性能
2014/3/23
利用化学气相沉积法生长的高性能的层状石墨烯,通过转移和图案化后用作电极,制备了底接触的并五苯有机薄膜晶体管(OTFTs)。原子力显微镜观察发现,石墨烯电极的厚度比一般的金电极薄的多,所以石墨烯电极厚度对并五苯晶粒的生长影响不大。电学性能研究得到器件的输出和转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率。转移曲线的关态电流约为10-9 A,电流的开关比超过103。基于底接触的并五苯OTFTs的最大场效...
随着器件尺寸的不断缩小，传统存储器的发展受到了越来越多的限制，具有结构简单、工作速度快、功耗低、与CMOS 兼容、非挥发性等优点的新型阻变存储器研究受到了越来越多的关注。到目前为止，阻变材料的工作机制尚无定论，但研究者认为氧空位在阻变过程中起着重要的作用。由于实验中直接观测到氧空位比较困难，氧空位对阻变效应的作用依然缺乏实验上的直接证据。
研究了电弧离子镀磁性靶材使用过程中发生“跑弧”并导致靶材无法稳定刻蚀的问题. 利用有限元方法(FEM)对外加磁场下非磁性靶材系统和磁性靶材系统中的磁场分布进行了模拟. 研究了外磁场对电弧斑点运动的影响机理, 并结合电弧斑点放电的物理机制, 探讨了磁性靶材与低饱和蒸气压金属靶壳、绝缘陶瓷靶壳或软磁性金属靶壳组成复合结构靶材解决磁性靶材使用问题的可行性. 结果表明, 这3种复合结构靶材设计方案均能有效...
第二届光学薄膜前沿国际会议征文通知
第二届 光学薄膜 前沿国际会议 征文通知
2012/4/25
第二届国际光学薄膜前沿会议(Frontiers of Optical Coatings, 2012)将于2012年10月15日-18日在杭州举行。本次会议由中国光学学会薄膜专业委员会主办，浙江大学和同济大学承办。会议届时将邀请亚利桑那大学Angus Macleod教授，奥地利因斯布鲁克大学Hans Pulker教授和德国弗朗和费精密光学研究所Norbert Kaiser教授等国际知名学者参会。
上海交大制“神奇薄膜”或触发电子技术新革命
上海交通大学 “神奇薄膜” 电子技术新革命
2012/3/30
种厚度只有头发丝万分之一的特殊人工薄膜，有可能“终结”全球物理学家长达70多年寻找“马约拉纳费米子”的“马拉松竞赛”。上海交通大学最新发布的此项研究成果，引发学界广泛关注。世界权威杂志《Science》审稿人称其为“材料科学的突破”。
镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管
镍硅化物 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管
2012/8/7
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法。分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性。测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸,且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性,可以有效地减小漏电流, 同时可提高场效应载流子迁移率。这主要是...
由中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室研究人员发明的专利“用于水润滑的织构化类金刚石复合薄膜的制备方法”，于近日获得国家发明专利授权（专利号：ZL200810189022.1）。
近年来，双栅薄膜晶体管由于其具有可控的阈值电压调节特性，在化学及生物传感器领域引起了广泛的研究兴趣。然而，传统的双栅晶体管都是基于一种典型的三明治结构，半导体沟道被两层栅介质夹在中间，其实质上可以看做是一个底栅晶体管和顶栅晶体管的共用沟道复合晶体管。国际上一些研究小组已经相继报道了双栅晶体管在湿度传感、pH值传感、病毒生物分子探测等领域的应用。尽管这些报道的双栅晶体管具有比较满意的器件性能，但是制...
薄膜式锰铜压阻计的动态标定
锰铜压阻计 动态标定 轻气炮
2013/10/14
介绍了以飞片平面撞击标定某新型锰铜压阻计的过程及方法. 标定在Phi 130 mm轻气炮上进行, 采用有机玻璃, Cu和W 3种材料为飞片和靶板材料, 实现不同速度下的同种材料平面正撞击, 获得0.66$\sim$25.4\,GPa范围的入射压力, 并利用几何修正和$D$-$u$关系修正两种方法对结果进行了修正, 给出了标定结果以及拟合曲线.
在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2 薄膜上用紫外光刻和Ar 离子刻蚀制作出SQUID 环路膜条, 然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID 的环路上制作了150~300 nm 之间不同尺寸的纳米微桥结构, 并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T 曲线与薄膜基本相同, 表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响. 对SQUID的R-T 关...
兰州化学物理研究所石墨烯基多层薄膜构筑及摩擦学性能研究获进展（图）
兰州化学物理研究所 石墨烯基 薄膜构筑 摩擦学 性能 研究 十八烷基三氯硅烷分子
2011/6/29
中科院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室研究人员在石墨烯基多层薄膜的构筑及其摩擦学性能研究方面取得新进展。在由氧化石墨烯（GO）外层和3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APTES）自组装底层修饰的硅基片上，研究人员进一步接枝了十八烷基三氯硅烷（OTS）分子，成功地构筑了疏水的APTES-GO-OTS三层膜。对其微结构和摩擦学性能研究表明，该三层膜呈现低粘着性，且其微观摩擦学性能和宏观摩擦学性能均显著...
磁控溅射法制备氧化铜纳米线阵列薄膜及其气敏性质
磁控溅射 CuO 纳米线 阵列薄膜 气敏性质
2013/8/29
通过磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃(FTO)衬底上溅射金属铜薄膜, 所制备的Cu薄膜在管式炉中退火氧化生长得到CuO 纳米线阵列薄膜. 用X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对其形貌和结构进行了表征, 并研究了这种通过磁控溅射得到的CuO 纳米线阵列薄膜对CO 和H2S 的气敏性质. 研究结果表明, CuO 纳米线阵列薄膜在250℃时对CO 气体...