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搜索结果: 1-15 共查到物理学 掺杂相关记录179条 . 查询时间(0.161 秒)
本发明涉及一种掺杂剂辅助的电离源,这种电离源利用了紫外灯照射掺杂剂电离产生的电子以及照射载气产生的光化学反应。它包括两部分:紫外光源和内装填有掺杂剂的容器。紫外光照射易电离的掺杂剂能够产生低能量的光电子。光电子可以吸附到载气中光化学产生的O3上得到O3-,O3-或其水合离子O3(H2O)n可以和空气中存在的大量CO2反应生成CO3-(H2O)n(n=0-3)。CO3-(H2O)n可以作为试剂离子和...
本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻,该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源,采用开管涂源式高温气相扩散的方法,将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中,利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料,再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试,其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ,B25℃/50℃=6240K-6680K...
中国科学院合肥物质科学研究院专利:掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:掺杂钆钇钪镓石榴石、钆钇钪镓铝石榴石及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:SM掺杂钙镁锆钆镓石榴石及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:掺杂ⅡA族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:掺杂稀土锗镓酸盐RExLn1-xGaGe2O7发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:稀土及非稀土掺杂的铌酸盐及其混晶发光材料及熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法
本发明涉及光催化材料领域,具体为一种硼掺杂含特定晶面二氧化钛晶体的制备方法。以硼化钛为前驱体,将其装入含不同阴离子的酸性溶液的反应釜中,反应釜密封后,放入烘箱加热处理,取出反应样品,用去离子水清洗并烘干,从而在含阴离子的酸性体系中得到硼掺杂含特定晶面二氧化钛晶体;通过在不同气氛下进一步热处理上述硼掺杂二氧化钛晶体,调控硼在晶体内的分布以及引入新的异质原子。本发明以硼化钛为前驱体、阴离子为形貌控制剂...
本发明涉及燃料电池催化剂载体,具体地说是一种高稳定型炭凝胶载体在燃料电池中的应用;所述催化剂的前躯体组分为间苯二酚,甲醛,有机配体,可溶性金属无机盐的混合物。间苯二酚与甲醛摩尔比为1:5~5:1,间苯二酚与金属有机化合物(以纯金属量计算)的摩尔比为5:1~1500:1,可溶性金属无机盐和有机配体的摩尔比20:1~1:20,可溶性金属无机盐可包括其中一种,或者两种或者两种以上的混合物。混合有机凝胶经...
随着激光技术的发展,非线性光学材料在光限幅、全光开关、光通信等领域展现出广阔的应用前景。其中,有机π-共轭材料因具有高的非线性光学系数、低的非线性响应阈值、易于结构调控的非线性光学性能等优势而备受关注。线性并苯类稠环是一类经典的有机π-共轭材料,被广泛应用于有机光电器件中。而该类材料随着共轭长度的增加,化学稳定性变差,极易被氧化或发生Diels-Alder反应。同时,随着共轭体系的增大,分子间聚集...
随着激光技术的发展,非线性光学材料在光限幅、全光开关、光通信等领域展现出广阔的应用前景。其中有机π-共轭材料因其具有高的非线性光学系数、低的非线性响应阈值、易于结构调控的非线性光学性能等优势,受到了人们的广泛关注。线性并苯类稠环是一类经典的有机π-共轭材料,被广泛地用于有机光电器件中。但是,该类材料随着共轭长度的增加,化学稳定性变差,极易被氧化或发生Diels-Alder反应。与此同时,随着共轭体...
余辉发光是一类独特的光物理现象,是指材料在撤去激发光源后仍然能够持续发光一段时间。有机余辉材料由于其具有长发射寿命,在氧气检测,生物成像以及防伪等诸多领域有着广泛的应用潜力。发射寿命长于0.1秒的余辉材料,甚至仅需廉价的光学仪器,手机摄像头甚至人眼便可直接分辨出其余辉颜色,余辉持续时间以及余辉变化。通过这些余辉材料,结合分子识别或化学计量技术,可构建便携式的光学传感、分析和成像平台,在病床边,家庭...

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