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团队通过光学浮区炉生长了低掺杂的Ta:β-Ga2O3，并经过系列光学表征技术，研究了Ta掺杂β-Ga2O3的缺陷能级及退火前后光学性质。研究表示了掺Ta的β-Ga2O3晶体的缺陷能级及在晶体中的两种跃迁机制，计算了Ta在辐射跃迁的激活能。研究表明了Ta掺杂β-Ga2O3的禁带宽度随环境温度的升高而减小，退火处理后晶体的禁带宽度也随之减小，费米能级下降，功函数增加。为Ta掺杂β-Ga2O3单晶光学性...
利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论, 我们研究了多氮/硼掺杂带帽碳纳米管分子结的电子输运特性. 结果显示, 电子输运性质强烈依赖于氮/硼的掺杂数目和掺杂位置.单氮/硼掺杂时出现最好的整流行为. 随着掺杂数目的增多, 整流性能显著降低. 此外, 一些掺杂情形在非常低的偏压下出现明显的负微分电阻行为.
电极距离和取向对硼掺杂带帽碳纳米管分子结中负微分电阻的影响
碳纳米管 负微分电阻 非平衡格林函数 密度泛函理论
2013/8/15
利用非平衡格林函数和第一性密度泛函理论, 研究了电极距离和相对取向对硼掺杂带帽碳纳米管分子结中负微分电阻行为的影响. 结果显示, 负微分电阻行为强烈依赖于电极距离和相对取向. 当电极距离为0.35 nm 且体系的对称性最高时, 可以产生最好的负微分电阻行为.