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利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长InGaN/GaN多量子阱结构.对多量子阱垒层掺In和非掺In进行了比较研究，结果表明，垒掺In 的样品界面质量变差，但明显增加了光致发光谱的峰值强度和积分强度，带边峰与黄光峰强度之比增大，降低了表面粗糙度.利用这两种结构制备了相应的发光二极管(LED)样品.通过电荧光测量可知，垒掺In的LED比非掺In的LED有较高的发光强度和相对均匀的波长，这...
多量子阱中注入载流子的非均匀分布
2007/8/20
根据多量子阱中注入载流子的输运机制，计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布.引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度，分析了各种敏感因素对载流子非均匀分布的影响.指出注入载流子分布的非均匀性，随量子阱数、注入电流、量子垒高度的增加而显著增加，随工作温度的升高而减小.
ZnMgSe/ZnCdSe多量子阱的光学性质
2007/7/28
期刊信息
篇名
ZnMgSe/ZnCdSe多量子阱的光学性质
语种
中文
撰写或编译
作者
吕有明,申德振等
第一作者单位
刊物名称
固体电子学研究与进展
页面
22 (4) 425-428 (2002)
出版日期
2002年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
Zn Cd Se量子阱量子点微腔结构中激子的激发态过程研究