搜索结果: 1-7 共查到“电子物理学 高压”相关记录7条 . 查询时间(0.134 秒)
近期，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M08组龙有文研究员团队，利用高温高压技术获得了高质量PbFeO3钙钛矿材料，通过广泛合作发现了A位全新的电荷有序分布形式，并由此导致了B位Fe3+离子在高达418 K的临界温度发生自旋重取向转变，表明电荷有序是调控自旋取向的一种新方法。
袖里藏乾坤：高压合成准1维新材料及维度调控的量子演生现象（图）
高压合成准1维 新材料 维度 量子演生现象
2019/12/5
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心极端条件物理重点实验室靳常青研究组的望贤成副研究员带领博士生张俊，运用高压高温技术制备了准一维新材料Ba3TiTe5。他们的研究结果表明：（I）Ba3TiTe5的电子能带结构具有典型的一维导电特征，实验发现该材料由于倒逆散射，发生了金属～绝缘体相变，呈现半导体行为。（II）压力增大导电链之间电子跃迁几率，倒逆散射导致的金属～绝缘体相变被完全抑制...
近期，固体所极端环境量子中心研究人员发现二硫化钼（MoS2）在高压下发生电荷密度波转变的迹象,这一发现将对理解MoS2在更高压下的超导电性具有指导意义。该研究成果于近日在《物理评论B》 (Physical Review B, 97, 214519 (2018))上在线发表。
西安电子科技大学张玉明教授团队成功研发高性能高压碳化硅功率器件
西安电子科技大学 张玉明 高压碳化硅功率器件
2015/5/25
日前从宽带隙半导体技术国防重点学科实验室获悉，由张玉明教授带领的团队，在高压碳化硅功率器件研究方面取得重要进展，该团队近期成功自主研发了两类高性能高压碳化硅功率器件。
近年来的大量研究表明，量子临界性是强关联电子体系中诸多反常物理现象的共通性特征。对于目前已知的很多非常规超导体系，包括重费米子、铜基和铁基超导体，它们的超导相图Tsc(δ=调控参量)都可以在反铁磁量子临界点的框架下得到统一的理解，即超导的出现往往伴随着反铁磁序的消失，而且圆拱状Tsc(δ)的最佳Tscmax往往处在量子临界点δc附近，这意味着超导配对机制可能与反铁磁涨落具有紧密联系。因此，实现反铁...
中国科学院物理研究所等铁基磷族化合物超导体高压研究获进展（图）
铁基磷族 化合物 超导体 高压
2014/4/16
近年来，科学家们在新的铁基超导体的探索和对其超导机理的研究方面取得了卓有成效的进步。Ca10(PtnAs8)(Fe2As2)5 (n=3, 4)是一种新型的具有复杂结构的铁基磷族化合物超导体，其晶体结构可描述为在CaFe2As2 晶格中交替用PtnAs8中间层（被成为方钴矿层）来置换Fe2As2层，即在一个晶胞中以Ca-PtnAs8-Ca-Fe2As2复杂的层状形式堆垛而成。这类化合物有两类不同的...
中国科学院微电子研究所高压驱动芯片研究取得新成果（图）
中国科学院微电子研究所 高压 驱动芯片
2011/10/24
日前，中科院微电子研究所射频集成电路研究室技术团队在“863”项目资助下，成功开发出一款多稳态高压驱动电路芯片，并成功实现无源电子纸显示屏（Passive - EPD）的驱动，为国内相关显示器技术的产业化解决了驱动集成电路这一瓶颈问题。