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曲崇,鲁东大学物理与光电工程学院副教授。目前研究领域:有机、无机电致发光器件及机理。近年来在《Journal of Luminescence》、《Applied Physics Letters》、《JOURNAL OF APPLIED PHYSICS》、《中国物理快报》、《物理学报》、《光谱学与光谱分析》、《光电子·激光》等杂志上发表论文20多篇,被SCI收录10篇,被EI收录7篇。
2019年9月20日-23日,由中国物理学会发光分会主办、北京交通大学承办的第十一届全国有机发光和光电性质学术会议在北京四川五粮液龙爪树宾馆举行。来自清华大学、北京大学、南京大学、吉林大学、华南理工大学、西北工业大学、山东大学、太原理工大学、中国科学院各研究所及产业部门的144个团队参加本次会议。第十一届全国有机发光和光电性质学术会议大会主席、发光与光信息技术教育部重点实验室主任王永生教授致欢迎词...
近日美国化学学会国际顶级期刊《Journal of the American Chemical Society》(JACS)刊发了华中大武汉光电国家研究中心舒学文教授与化学与化工学院朱锦涛教授、南京邮电大学材料科学与工程学院赵强教授合作论文“细胞穿膜肽转运非共价连接的热致延迟荧光纳米粒子用于时间分辨的发光成像”(“Cell-Penetrating Peptides Transport Noncov...
近日,化学学院龙亿涛课题组研究团队在光电限域纳米孔道研究聚集诱导发光(AIE)效应方面取得突破性进展,以 “Manipulating and Visualizing the Dynamic Aggregation-Induced Emission within a Confined Quartz Nanopore”为题发表在Nature Communications上。该研究为构建具有良好可逆性和...
王军,男,教授,博士。2002年本科毕业于电子科技大学物理电子技术方向,2008年获电子科技大学光学工程博士学位。长期从事红外探测器、有机电致发光器件、微细加工工艺相关方向的研究。近年参与了国家重大专项、国家自然科学基金、总装预研等多项国家、省部级项目,迄今在Applied Physics Letters、Journal of Physics D:Applied Physics、Semicondu...
2017年7月7日至10日,由中国物理学会发光分会主办、由太原理工大学新材料工程技术研究中心、材料科学与工程学院和物理与光电工程学院共同承办的“第十届全国有机发光和光电性质学术会议”在山西国际会议中心如期举行。在7月8日的开幕式上,太原理工大学许并社教授主持开幕式,大会主席范希武研究员致开幕辞,太原理工大学党委书记吴玉程教授对会议的召开表示祝贺,对我校材料科学与工程学科予以肯定,表明了我校扎实推进...
通过引入具有电子传输性能的噁二唑衍生物支链,采用Suzuki偶联反应,设计并合成了一种新型的蒽衍生物蓝光材料,同时研究了它的光学性能、热学性能、电化学性能以及成膜性。研究结果表明,该化合物在四氢呋喃溶液中发射蓝色荧光,最大发射波长为433 nm,其荧光量子效率为0.94,是9,10-二(β-萘基)蒽(ADN)的1.17倍。该化合物薄膜经过100 ℃高温烘烤3 h,依然保持连续、均一、平整的无定型结...
通过电化学方法在FTO导电玻璃上沉积了不同还原程度(C/O)的还原氧化石墨烯薄膜(rGO),其中rGO薄膜由未经处理的GO电解液制备,A-rGO由碱处理后的电解液制备,B-rGO由NaBH4处理后的电解液制备。利用XRD、XPS、SEM、UV-Vis对薄膜的化学结构和微观形貌进行了表征,并研究了薄膜在可见光照射下的光电性能。结果表明:在1.8 V下沉积的不同C/O比的rGO薄膜中,B-rGO薄膜的...
有机发光和有机光伏器件为代表的有机光电器件在显示、照明、能源等领域有着广阔的应用前景。有机发光器件具有发光效率高、发光颜色丰富、响应速度快等优点,而有机光伏器件具有质轻、成本低、可实现柔性器件等优点。金属纳米颗粒的表面等离子体共振耦合效应可以提高有机发光器件的效率和有机光伏器件的光电转换效率,因而得到了研究人员的广泛关注。本文综述了金属纳米颗粒改善有机发光/光伏器件性能方面的研究进展,并对其今后的...
采用二氯甲烷为溶剂,无水碳酸钾为缚酸剂,在25℃温和条件下,以2-苯基-4-甲基喹啉铱(III)氯桥二聚体[(4m2pq)2Ir(μ-Cl)2Ir(4m2pq)2]和乙酰丙酮(Hacac)进行配位,反应合成了新型铱(Ⅲ)配合物[(4m2pq)2Ir(acac)]。通过核磁共振氢谱(1H NMR)、碳谱(13C NMR)、X射线单晶衍射等确定分子结构,利用紫外-可见吸收光谱、发射光谱对其光物理性质进...
运用软件模拟和理论计算的方法分析了In含量对发光二极管光电性能的影响,研究了In含量与光谱功率密度、量子阱中载流子的浓度、辐射速率、发光功率等之间的关系。分析结果表明:电子泄漏与能带填充是影响光电性能的主要原因。当In含量较低时,随着电流密度增大(<8 kA/cm2),光谱发生蓝移程度相对较小,但电流密度太大(>8 kA/cm2)会造成电子泄漏,发光功率降低;而当In含量较高时,随着电流密度增大,...
在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发现,样品中C替代N成为受主,而Si替代Al成为施主。样品的PL谱主要包括两个特征发射峰,分别来自于C、Si在AlN中形成的复合物VN-CN和CN...
研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性。 6种样品被分为3组: 普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀。每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层。每组中,具有电流阻挡层的LED在20 mA下的正向电压分别为3.156, 3.282, 3.284 V, 略高于不含电流阻挡层的样品(Vf=3.105, 3.205, 3.210 V)...
运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响,建立了束缚态分裂能级理论模型。分析结果表明:当量子阱宽较窄时,极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因,而电子泄漏是导致效率下降的主要原因;当阱宽较大时,能级填充是导致光谱红移的主要原因,俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因。由本文得出,当量子阱宽为2.5~3.5 nm时,InGaN/GaN发光二极...

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