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中国科学院物理研究所开发出新型光诱导室温非破坏性铁电薄膜记忆读取方法（图）
中国科学院物理研究所 铁电薄膜 光
2014/11/20
钙钛矿氧化物低维体系的光、电多场调控是未来新一代多功能器件的基础。铁电材料在室温下可以存在两种稳定的极化状态。由于外加电场对极化状态的改变操作方便，操作区域小（纳米尺度），能耗低，利用铁电材料做成的铁电随机存储器（FeRAMs）在信息存储领域被寄予厚望。然而，现有的 FeRAMs 所用的破坏性信息读取方式（利用外加脉冲电压，测量极化反转电流从而读取极化信息）大大制约了FeRAMs的发展。磁存储器可...
一种新型光诱导室温非破坏性铁电薄膜记忆读取方法（图）
光 铁电薄膜记忆 薄膜
2014/11/20
钙钛矿氧化物低维体系的光、电多场调控是未来新一代多功能器件的基础。铁电材料在室温下可以存在两种稳定的极化状态。由于外加电场对极化状态的改变操作方便，操作区域小（纳米尺度），能耗低，利用铁电材料做成的铁电随机存储器（FeRAMs）在信息存储领域被寄予厚望。然而，现有的 FeRAMs 所用的破坏性信息读取方式（利用外加脉冲电压，测量极化反转电流从而读取极化信息。）大大制约了FeRAMs的发展。磁存储器...
向列相液晶中光诱导分子重取向过程的弛豫时间
平行排列 重取向弛豫时间 偏置电压
2014/3/18
研究了带偏置电压的向列相液晶盒结构中在激光脉冲作用下的分子转动动力学模型。结果表明，入射光脉冲的宽度远大于1 ps时，光脉冲诱导液晶分子重取向过程可用德拜弛豫过程描述。弛豫时间常数与液晶盒厚度的平方成正比，和液晶的弹性常数成反正。弛豫时间常数依赖于液晶横向位置，预偏角的范围在0~0.4 rad之间变化时，不同位置的时间常数相差较大，可在一个量级之间变化；预偏角在0.4~π/2 rad时，时间常数基...