搜索结果: 16-21 共查到“物理学 焦平面”相关记录21条 . 查询时间(0.393 秒)
2005年11月17日美国ILLINOIS大学芝加哥分校，红外焦平面材料技术研究的资深专家SivaSivananthan教授及常勇助教到我所进行访问。上午，Siva教授为我所科研人员做了题为“MBEGrowthofHgCdTe”的学术报告，整个报告会场气氛热烈，教授就红外焦平面材料的MBE生长方式做了精辟的论述，大大开拓了科研人员的视野。无论是丰富的报告内涵、精致的幻灯制作，还是幽默风趣的演讲、翩...
2006年1月9日，全国科学技术大会在人民大会堂隆重召开，我所“碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究”荣获国家自然科学二等奖。碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究是红外光电子信息学科的科学前沿，主要研究碲镉汞半导体中的带间光吸收跃迁效应以及带内、杂质、声子光跃迁、载流子输运和碲镉汞红外焦平面材料器件研制的基本物理问题。研究结果不仅发展了窄禁带半导体物理学，而且可应用于碲镉汞材料设计...
2006年1月9日，全国科学技术大会在人民大会堂隆重召开，我所“碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究”荣获国家自然科学二等奖。碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究是红外光电子信息学科的科学前沿，主要研究碲镉汞半导体中的带间光吸收跃迁效应以及带内、杂质、声子光跃迁、载流子输运和碲镉汞红外焦平面材料器件研制的基本物理问题。研究结果不仅发展了窄禁带半导体物理学，而且可应用于碲镉汞材料设计...
本项目运用LBIC技术研究了干法刻蚀等离子体与碲镉汞材料的作用损伤，明确了为避免损伤导致材料反型的等离子体能量范围；在国内首次开展了ICP技术刻蚀碲镉汞的剖面形貌、表面光洁度、刻蚀选择比、刻蚀速率以及刻蚀损伤的研究，得到了ICP刻蚀HgCdTe技术中的关健工艺参数；获得了刻蚀深度达7mm的表面理想的ICP刻蚀样品。项目完成年度报告一篇，发表国内会议论文3篇，EI收录论文3篇，申请发明专 利2项，获...
近日，我所褚君浩研究员提出的“铁电薄膜红外焦平面列阵研究”喜被列入2003年上海市重点基础研究计划。该项目主要解决高性能集成铁电薄膜复合结构的制备问题，研究铁电薄膜主要特性的尺寸效应、界面效应以及表征参数的微观机制，掌握铁电薄膜微结构的控制方法。同时，在物理研究基础上探索建立集成铁电薄膜非致冷红外焦平面光电转化的实际物理模型和相关理论。该课题的顺利完成将可大大缩短我国与发达国家在该技术领域的差距，...
降低平面型碲镉汞焦平面阵列光谱串音的结构优化研究
2007/7/28
专著信息
书名
降低平面型碲镉汞焦平面阵列光谱串音的结构优化研究
语种
中文
撰写或编译
作者
全知觉,叶振华,胡伟达,李志锋,陆卫
第一作者单位
出版社
红外与毫米波学报,投稿
出版地
出版日期
年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
HgCdTe的材料芯片方法研究