搜索结果: 136-150 共查到“物理学 界面”相关记录174条 . 查询时间(0.684 秒)
偶联表面活性剂在气/液界面上的区域形貌
偶联表面活性剂 界面 Brewster角显微镜(BAM) 区域形貌 单分子层
2009/11/26
测定了偶联表面活性剂propilidene-1,3-bis(dimethyloctadecylammonium bromide) (PBDOAB)在0.005 mol•L－1 NaBr溶液气/液界面上的分子面积和表面压－分子面积等温线.用自制的Brewster角显微镜观察了PBDOAB在该溶液的气/液界面上的区域结构.结果表明, PBDOAB在0.005 mol•L－1 N...
四川大学光学课件第三章 光在各向同性介质界面的反射和折射 光在各向同性介质界面的反射折射。
四川大学光学课件第三章 光在各向同性介质界面的反射和折射 光波的偏振态。
四川大学光学课件第三章 光在各向同性介质界面的反射和折射 波函数的复数表示 复振幅。
四川大学光学课件第三章 光在各向同性介质界面的反射和折射 光波场的数学描述。
采用深度刻蚀与XPS能谱研究缓蚀膜／镀铜层／铁基体界面成分
XPS 深度刻蚀 缓蚀膜
2009/10/30
为了探索焦磷酸盐镀铜层与铁基体结合强度差的原因，采用波谱技术，分析了纵向界面各种元素的成分变化，讨论了金属基体表面粗糙度对元素分布的影响。根据刻蚀时间可将膜层分为三部分：N，O量迅速减少的表面层，有基本固定组成的中间层和占一半厚度的出现基体元素的混合干扰层。通过对后期混合层中氧含量的分析，可得出镀铜层／铁基体界面含氧层的存在是影响电镀层与基体结合强度的主要原因的结论。
快重离子辐照引起Ni/SiO2界面原子混合及相变研究
Ni/SiO2 快重离子辐照
2009/10/27
在室温下用308 MeV的Xe离子和853 MeV的Pb离子辐照Ni/SiO2样品, 用卢瑟福背散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。 通过分析Ni/SiO2样品中元素成分分布和结构随离子辐照剂量和电子能损的变化, 探索了离子辐照在Ni/SiO2样品中引起的界面原子混合与结构相变现象。 实验结果显示, Xe和Pb离子辐照均能引起明显的Ni原子向SiO2基体的扩散并导致界面附近Ni， Si和O原子的...
SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究
超晶格 界面态 悬挂键
2009/10/26
利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现，随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加，发光峰在400～600 nm之间移动。研究表明，样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光)。即在样品沉积的过程中，在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性，会形成大量的Si—O悬挂键，这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷...
光学厚Rb蒸气界面附近后向荧光光谱研究
激光光谱 后向敏化荧光 精细结构激发转移
2009/10/26
在存在表面耗散层的纯Rb光学厚蒸气中，利用小功率可调谐半导体激光器泵浦Rb(5P3/2)的超精细结构能级，测量和分析了780 nm(5P3/2→5S1/2)和795 nm(5P1/2→5S1/2)后向荧光的强度和线形，耗散层(近区)起光谱滤波器的作用。有两种可能产生5P1/2态原子的机制，第一种机制是Rb(5P3/2)+Rb(5S1/2)→Rb(5P1/2)+Rb(5S1/2);第二种机制是Rb(...
三维激光烧蚀流体界面不稳定性程序的并行化
并行化 三维激光 不稳定性
2009/10/23
在共享存储并行机和MPP并行机上,基于MPI(MessagePassingInterface)并行编程环境,本文研究三维激光烧蚀界而不稳定性程序(Lared-S)的并行实现.三维激光烧蚀的数值模拟采用分裂方法,其90％以上的计算负载存在于流体方程和热传导方程的求解(流体方程的求解采用分裂显格式,热传导方程的求解采用分裂隐格式).本文给出基于三维分裂格式的交替平面数据通信模式.分裂隐格式的求解转化...
2009年8月9日-12日，中国物理学会第五届表面与界面物理专业委员会2009年工作会议在青海省西宁市成功召开。出席会议的委员有：侯晓远（复旦大学），薛其坤（清华大学），朱星（北京大学），何丕模（浙江大学），刘技文（天津理工大学）， 严辉（北京工业大学），郑伟涛（吉林大学）张凤鸣（南京大学）， 刘冰冰（吉林大学），陈克新（国家基金委），李树深（半导体所），高鸿钧（物理所），顾长志（物理所），陆兴华...
Compton散射下激光等离子体界面附近电子的运动
等离子体 多光子非线性Compton散射 相对论因子
2009/8/14
研究了多光子非线性Compton散射下等离子体中两个不同密度区的界面附近耦合激光场中电子的运动， 导出了电子的横向动量与纵向动量相互关系的一般方程.研究发现：介质的非均匀性导致电子运动特性的重要变化，在一定的条件下,这种非均匀性有利于注入电子获得加速；散射可有效地降低弹推阈值.当耦合脉冲强度低于弹推阈值时，电子最终被脉冲超过，但无论对初始时刻静止的电子还是运动的电子，能量增益均不为0，且随注入能量...
利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的...