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搜索结果: 1-15 共查到物理学 均匀性相关记录22条 . 查询时间(0.166 秒)
中国科学院金属研究所专利:测定晶内第二相在基体中分布均匀性的方法
近年来,直接液体冷却薄片激光器因其体积功率比小,热管理能力强等优势而成为研究热点.本文建立了一套直接液体冷却薄片激光器波前畸变的分析方法.应用该方法研究了直接液体冷却薄片激光器中抽运光均匀性对光束波前畸变的影响.计算分析了均匀性为92%,80%和70%,且总的抽运功率不变时,激光器高阶像差分布情况.随着均匀性逐渐减弱,激光器中高阶像差逐渐增强,低阶像差量基本保持不变.实验中,设计加入波导和未加入波...
本文研究了经局部塑性变形后,Fe78Si9B13金属玻璃在原子尺度上的结构演变及其对合金显微硬度的影响。借助砂纸作为传力的媒介,充分放大了作用于带材表面上的等效压力,发生塑性变形后合金表面产生了大量的剪切带。基于倒空间和实空间的同步辐射X射线衍射分析,在塑性变形后,合金结构的致密度增大,过剩自由体积被排出,并由此揭示了Fe78Si9B13金属玻璃在短程及中程尺度上原子协同重排行为。结合高分辨透射电...
北京高压科学研究中心研究员丁阳与合作者首次在实验中证实了带状相(晶格不均匀性的表现)的存在,并且发现其对超导转变温度有着重要影响。相关研究发表于《物理化学快报》。
磁致伸缩式导波检测传感器(MsS)作为一种新型的超声波检测装置可应用于管道的健康监测,但其较低的能量转换效率却限制了其进一步的应用。为提高MsS能量转换效率,从偏置磁场均匀性角度出发,分析了偏置磁场均匀性对传感器输出特性的影响。采用有限元方法分析磁化装置个数与放置方式对管道内部磁场分布状况的影响,分析表明,适当增加磁化装置个数可以有效提高偏置磁场的均匀性;同时在磁场装置个数一定时,均布的放置方式将...
实现大功率LED阵列在目标平面上的照度均匀分布对于照明系统具有十分重要的意义。不同于传统解析计算方法,本文采用粒子群(PSO)算法来优化平面随机分布的LED阵列结构,使其在目标光照平面上光照分布均匀。首先推导了LED阵列的照度分布函数,并在此基础上以光照函数的标准差构建一个评价函数,衡量光照分布均匀度。在Matlab中编程获得光照分布最优时候的LED阵列结构数据,并将几何模型导入光学仿真软件Tra...
实现大功率LED阵列在目标平面上的照度均匀分布对于照明系统具有十分重要的意义。不同于传统解析计算方法,本文采用粒子群(PSO)算法来优化平面随机分布的LED阵列结构,使其在目标光照平面上光照分布均匀。首先推导了LED阵列的照度分布函数,并在此基础上以光照函数的标准差构建一个评价函数,衡量光照分布均匀度。在Matlab中编程获得光照分布最优时候的LED阵列结构数据,并将几何模型导入光学仿真软件Tra...
利用FLUENT软件对3种环形分隔进口(4环、8环、12环)的氢化物气相外延(HVPE)反应器的生长均匀性进行了二维数值模拟研究。分别考虑输运模型和输运-生长模型,模拟过程保持相同的GaCl、NH3及N2气体进口流量。结果显示:在只考虑输运的模型中,反应室流动均匀性随着进口环数的增多而改善。8环进口时,衬底上方温度分布最均匀;4环进口时,衬底上方的GaCl浓度较高,但均匀性最差,Ⅴ/Ⅲ比也较低;8...
利用FLUENT软件对3种环形分隔进口(4环、8环、12环)的氢化物气相外延(HVPE)反应器的生长均匀性进行了二维数值模拟研究。分别考虑输运模型和输运-生长模型,模拟过程保持相同的GaCl、NH3及N2气体进口流量。结果显示:在只考虑输运的模型中,反应室流动均匀性随着进口环数的增多而改善。8环进口时,衬底上方温度分布最均匀;4环进口时,衬底上方的GaCl浓度较高,但均匀性最差,Ⅴ/Ⅲ比也较低;8...
通过计算机模拟计算与实验相结合, 讨论了真空盒磁导率对二极磁铁磁场分布的影响. 结果表明当真空盒磁导率μr≠1时, 真空盒将影响磁铁磁场分布, 在磁场均匀性要求很高时, 必须考虑真空盒的材料与尺寸对磁场均匀性的影响.
在工业CT图像重建过程中,射束硬化使得图像出现“杯状”伪影,阵列探测器响应不一致使得图像出现环状伪影、带状伪影和点伪影,影响图像均匀性.本文分析了射束硬化的原理和探测器响应不一致的数学模型,并通过实验,对探测器响应进行多挡板定标得到校正系数表.利用查表插值的方法对投影数据进行均匀性校正,消除上述伪影.
利用22Na放射源和符合测量方法实现了对钨酸铅晶体的光输出纵向非均匀性的精细测量.研究了改变晶体表面粗糙度对光输出非均匀性的影响.
在电磁量能器中,晶体闪烁光收集沿长度方向的均匀性对能量分辨率有相当的影响.利用蒙特卡洛(MC)方法对钨酸铅(PbWO4或PWO)长晶体的光传导与光收集过程进行了模拟计算,着重讨论了晶体吸收长度,折射率等因素对光收集的影响.
介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对Si片的定向自截止腐蚀,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑Si平面薄膜的工艺。通过台阶仪测量厚度在3~4 μm的Si平面薄膜,在扫描范围为1000 μm时,它的表面粗糙度在几十nm;SEM测量表明,Si薄膜表面颗粒度在纳米量级;探讨采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低Si膜表面粗糙度的方法。
本文探讨了水水反应堆中把元件棒组成元件盒后的非均匀栅内的热中子利用系数的计算方法,并讨论了元件盒内热中子通量分布的不均匀性。文中提出把热中子利用系数分解为盒内利用系数和元件棒利用系数两个因子。先用扩散理论或多次碰撞理论处理带覆盖层的均匀栅内的热中子利用系数,然后把盒内介质转化成相当的均匀介质,求出整个元件盒内的通量分布,计算盒内利用系数。最后利用所得计算公式计算了一个游泳池反应堆元件盒形的热中子利...

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