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离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜
Ge1-xCx 薄膜 电子枪蒸发 离子辅助沉积(IAD) 考夫曼离子源
2007/12/8
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2~22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的...