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中国科学院合成复频波技术补偿极化激元光子器件的损耗研究获进展(图)
光子器件 纳米 电磁
2024/1/10
在纳米光子系统中,极化激元是一种由入射光与材料表界面相互作用形成的特殊电磁模式,能够实现纳米尺度上光信息的传输和处理。极化激元材料是构建光电互联芯片的重要材料基础。然而,由于光学材料本身的损耗限制,极化激元光子器件在应用推广方面存在一定困难。
2023年5月24日上午,由北京大学作为牵头单位,松山湖材料实验室、华南师范大学、中国科学技术大学、北京理工大学、华中科技大学参与承担的国家重点研发计划“物态调控”重点专项“关联电子贝里曲率场调控与器件探索”项目启动会暨项目实施方案论证会在北京大学物理学院顺利举行。
有源器件混合集成的超薄超宽带可调雷达吸波体
超表面吸波体 宽带 可调 低雷达散射截面
2022/3/17
西安电子科技大学电磁兼容原理与技术课件11-1 PCB元器件的EMC特性。
铒单离子磁体(C18H23Er)器件的自旋极化输运
单离子磁体 自旋过滤 自旋整流 隧穿磁电阻效应
2019/4/18
研究单分子磁体的自旋极化输运性质。搭建由扫描隧道显微镜钴针尖、铒单离子磁体以及金(111)衬底所构成的分子器件模型。在小偏压下,计算铒单离子磁体在正立和倒立2种构型下的自旋极化电流曲线,发现此单分子磁体器件的隧穿磁电阻最高达120%,自旋过滤效率在70%~100%。对比2种构型下的整流比,发现倒立构型有较大的整流比。通过分析体系的透射谱、分子投影哈密顿量、器件投影态密度等,对上述物理效应的根源进行...
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研制成室温高灵敏度太赫兹探测器单像元模块和焦平面成像器件(图)
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 太赫兹探测器单像元模块 焦平面成像器件
2016/3/25
太赫兹波在电磁频谱中介于毫米波和红外之间,在材料科学、信息传输、环境监测、生命健康等诸多领域有广阔的应用前景。例如,利用太赫兹波可穿透非金属和非极性材料(如纺织品、纸板、塑料和木料等)而不产生电离损伤的特点,太赫兹成像技术在无损检测、人体安检和生物医学等领域具有重要应用价值。由于处在基于宏观经典理论电子学与基于微观量子理论的光子学之间的过渡区,太赫兹光源和探测器等核心关键器件的效率低下或需在低温下...
2015年12月29日,中国科学院条件保障与财务局组织专家对化学所王栋研究员承担的中科院科研装备研制项目“储能器件运行过程可视化成像与电极反应原位表征综合系统的研制”进行了结题验收。
2013年11月13日至14日,作为2013中国(宁波)新材料与产业化国际论坛的学术交流活动之一—磁电子材料与器件国际研讨会在宁波召开。来自国内外磁性材料专家以及相关企业的100余位代表参加会议。中国科学院宁波材料技术与工程研究所副所长李润伟研究员主持会议。
宽禁带碳化硅功率器件在电动汽车中的研究与应用
碳化硅 宽禁带 功率器件 电动汽车驱动系统
2014/4/9
以碳化硅(silicon carbide, SiC)为主的第3代半导体技术突破了硅材料半导体器件在耐压等级、工作温度、开关损耗和开关速度上的极限, 能够显著减少电力电子变换器的重量、体积、成本, 提高电力电子系统的性能。一直以来, 高功率密度电动汽车电力驱动系统一直是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战, 而宽禁带功率器件的应用, 将对新一代电动汽车特别是混合电动汽车的发展产生重要影响。论文主要介绍...
有机半导体器件中的磁场效应, 是指在不包含任何磁性功能层的有机半导体器件中, 其电流或发光在外加磁场作用下发生改变的现象. 由于有机半导体器件中的磁场效应具有高的灵敏度, 且其绝对值即使在室温下也较大, 因此有机半导体中的磁场效应具有重要的科学意义和实用价值, 从而引起了科研人员的广泛兴趣, 并取得了较大的研究进展. 本文较详细地介绍了该领域的研究历史、现状和已经取得的主要研究结果, 重点综述了产...
硅微机械FP腔器件机电特性模拟
微机械FP腔 光纤通信 阈值电压
2007/12/7
介绍了一种硅微机械FP腔器件,该器件作为光学滤波器、光学衰减器等在光纤通信技术中具有广泛应用.采用化学气相沉积、刻蚀、金属蒸发等工艺对该器件进行加工,并利用湿法腐蚀释放使其形成悬空结构,悬空膜采用静电激励驱动.分析了器件的基本原理、工作范围、静电激励的阈值电压等特性,并指出了影响阈值电压大小的因素.
根据上海市人民政府颁发的<上海市外商投资企业享受技术密集型、知识密集型项目优惠的办法>,上海市科学技术委员会2003年1月、2003年9月分别确认,上海大平洋蓝登光器件有限公司、上海瀛赛拉磁性器材有限公司为<双密集企业>。
一种新型磁随机存取存储器原理型器件问世(图)
中国科学院物理研究所 存储器 MRAM
2007/3/7
中国科学院物理研究所韩秀峰课题组2007年3月5日研制出一种新型磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件,这种存储器屏弃传统采用椭圆形磁性隧道结作为存储单元、双线制脉冲电流产生、合成脉冲磁场驱动比特层磁矩翻转的做法。它采用100纳米尺度下的磁矩闭合型纳米环状磁性隧道结作为存储单元,正负脉冲极化电流直接驱动比特层磁矩翻转的工作原理,解决了常规MRAM相对功耗高、存储密度低等瓶颈问题。目前,该器件利用5...