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径向压缩碳纳米管的电子输运性质
碳纳米管 电子输运性质 径向形变 第一性原理
2022/3/24
研究径向压缩形变对碳纳米管电子输运性质的影响对搭建微纳碳基电子器件具有重要意义。本文利用分子动力学模拟方法研究了碳纳米管与金属界面接触构型，得出碳纳米管径向压缩形变的规律。模拟结果表明：碳纳米管在水平接触金属表面后，其稳定状态下的径向压缩形变大小会受接触长度、管径大小、金属种类和片层数量的影响。基于紧束缚密度泛函理论和非平衡格林函数结合的第一性原理，系统地研究了不同直径、手性、片层、径向压缩形变碳...
硼掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的电输运性质研究
Bi2Se3 掺杂 纳米带 电输运性质
2022/3/28
本文首次报道了用自助溶剂法(self-flux)制备优良的硼(B)掺杂硒化铋(Bi2BxSe3-x)样品的探索。实验结果显示掺杂样品中大部分B是以替代Se位方式存在，少量B以插入Bi2Se3晶格或范德瓦尔斯间隙的形式存在。当B的含量逐渐增加时，Bi2Se3的晶格常数c先减小后增加，且样品具有清晰的层状结构。掺杂量x=0.05的样品局部区域出现纳米带结构，同时该样品在低温下出现了明显的金属-绝缘转变...
运用Blonder-Tinkham-Klapwijk（BTK）理论研究了硅烯/dx2-y2+idxy混合波超导隧道结的隧穿性质。研究发现：垂直施加的电场、超导配对势的方向角和两种混合波配对能隙的比值Δ1/Δ0强烈地影响正常反射、Andreev反射和隧穿电导的值；当两种混合波的序参量比值较大时，隧道谱线在外加偏压E=Δ1处出现谐振峰；系统的隧穿电导、正常反射幅和Andreev反射幅随超导方向角成周期...
高压下六方TaSi2晶体基于结构稳定性的电学输运性质
二硅化钽 高压 晶体结构 电学输运性质
2018/3/30
作为一类稳定的低电阻及高温材料，二硅化钽(TaSi2)被广泛应用于集成电路中。因此，其电学稳定性和结构稳定性同样重要。报导了高压下六方TaSi2晶体基于结构稳定性的电学输运性质。通过同步辐射X射线衍射和拉曼光谱实验研究了TaSi2晶体在压力高达20 GPa时稳定的结晶学结构，并通过原位高压电阻测量发现，当压力增加到16.3 GPa时，TaSi2的电阻率趋于稳定在2 μΩ•cm左右；进一...
中国科学院近代物理研究所等InSb半导体纳米线电学输运性质研究取得新进展
中国科学院近代物理研究所 半导体 纳米线 电学
2012/12/3
中科院近代物理研究所材料研究中心与德国Juelich研究中心及美国南加州大学合作开展InSb半导体纳米线电学输运性质研究并取得新进展。近物所材料研究中心科研人员多年来致力于金属和半导体纳米线的制备与性质研究，在纳米线光学性质研究、纳米线晶体结构调控、特殊结构与功能的纳米材料制备等方面均取得了一系列成果。
铁电场效应晶体管是铁电薄膜和半导体场效应晶体管的集成，铁电薄膜的铁电回滞特性赋予场效应晶体管本征的存储功能。其基本原理是，利用铁电极化对通道电流进行调制。铁电场效应晶体管存储具有非易失性，而且是非破坏性数据读取，它存储密度高、速度快、能耗低，具有潜在的应用前景。基于纳米结构导电通道的铁电场效应晶体管将纳米材料独特的电输运性质和铁电薄膜的铁电特性有机地结合起来，同时，铁电薄膜还具有非常高的介电常数，...
铁电场效应晶体管是铁电薄膜和半导体场效应晶体管的集成，铁电薄膜的铁电回滞特性赋予场效应晶体管本征的存储功能，其基本原理是，利用铁电极化对通道电流进行调制。铁电场效应晶体管存储具有非易失性，而且是非破坏性数据读取，它存储密度高、速度快、能耗低，具有潜在的应用前景。基于纳米结构导电通道的铁电场效应晶体管将纳米材料独特的电输运性质和铁电薄膜的铁电特性有机地结合起来，同时，铁电薄膜还具有非常高的介电常数，...
稀磁半导体异质结构的自旋极化输运性质
2007/7/28
期刊信息
篇名
稀磁半导体异质结构的自旋极化输运性质
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
郭永
第一作者单位
清华大学
刊物名称
固体电子学研究与进展
页面
22卷，第4期，pp468-pp472
出版日期
2002年
11月
日
文章标识(ISSN)
1000-3819
相关项目
磁调制量子结构中的自旋极化输运和自旋磁致输运