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A～100区Tc同位素能级结构的研究
投影壳模型 正/负宇称态 能带图
2009/6/4
用投影壳模型对101Tc的受激正/负宇称转晕态结构进行了探讨, 为了从定量结果中抽取出物理内容也作出了正宇称转晕带的能带图. 此外, 各自起源于3/2－[301], 5/2－[303]和1/2+[431]尼尔逊态的3个带也在这个模型框架下进行了分析. 到目前为止, 在Z～42—44区关于N=52—54的中间核性质知之甚少, 为了解这些"过渡核", 以95Tc为例, 对其能级结构也进行了研究.
A≈160区奇质量数Tm同位素的能级结构
粒子–转子模型 三轴形变 Tm同位素
2009/6/4
利用粒子–三轴转子模型,计算了A≈160区奇质量数Tm同位素系列的能级结构.通过调整能隙和科氏减弱因子,较好地拟合了各Tm同位素的低激发转动带,并给出它们的能隙随中子数变化的规律.
Ba同位素的截面测量
中能核–核碰撞 放射化学分离 Ba同位素截面 双峰分布
2009/6/4
用60MeV/u18O离子轰击天然铀靶,通过238U(18O,X)反应产生钡的放射性同位素.使用放射化学分离方法从被照射过的铀靶中分离出Ba,用HPGeγ射线探测器测量Ba样品的γ射线谱,经对所得时间累计谱的处理和分析得到了Ba同位素的产生截面,并观察到Ba同位素分布中的双峰分布现象.
利用同位旋相关的量子分子动力学模型, 对中能重离子反应产物中的同位素分布进行了研究, 重点分析了平均场中的动量相关作用和两体碰撞的同位旋相关性对于产物中同位素标度现象的影响. 结果表明: 这两个因素均明显减小了同位素标度参量α的值, 从而减弱了同位旋标度参量α对两个反应系统同位旋差的依赖性.
O同位素的相对论平均场计算中对能隙参数的研究
相对论平均场 对能隙参数 O同位素
2009/5/25
在相对论平均场理论框架下, 研究了各种对能隙参数对O同位素偶偶核的适用性. 通过对原子核结合能和四极形变的系统计算表明, 在O同位素区域, 对能隙参数Λn和Λp均可取为0.5, 这样既简化了计算, 又可得到比较满意的结果.
A～50区同位素的相对论平均场研究
相对论平均场 核基态性质 质子和中子分离能 稳定性
2009/5/25
利用轴向形变相对论平均场理论计算了A～50区的核基态性质,结果表明,在Fe同位素链中最稳定的核是56Fe和58Fe而不是通常的54Fe;给出了46Cr,50Fe和54N(N=Z－2),45Cr,49Fe和53Ni(N=Z－3)核的质子和中子分离能,分析了它们的稳定性.
13.5-14.6MeV中子能区锶同位素反应截面的测量
截面 中子反应 活化法 锶
2009/5/25
在13.5—14.6MeV中子能区用活化法测量了84Sr(n, 2n)83Sr,86Sr(n, 2n)85mSr,
86Sr(n, 2n)85Sr,88Sr(n, 2n)87mSr, 84Sr(n, p)84Rb,
86Sr(n, p)86Rb,88Sr(n, p)88Rb和88Sr(n, α)85mKr的
反应截面值, 以93Nb(n, 2n)92mNb反应截面为中子注量标准, 并且将测...
14MeV中子硒同位素反应截面的测量
中子反应截面 硒 活化法
2009/5/25
在14MeV中子能区用活化法测得了82Se(n,2n)81m,gSe, 76Se(n,2n)75Se,78Se(n,p)78As,76Se(n,p)76As,74Se(n,p)74As和80Se(n,α)77Ge反应截面值, 以93Nb(n,2n)92mNb反应截面为中子注量标准, 并且将测量值和收集到的文献值进行了比较.
13.5—14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量
锗 中子反应 反应截面 活化法
2009/5/25
报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法测得的76Ge(n,2n)75Ge, 70Ge(n,2n)69Ge, 70Ge(n, p)70Ga, 72Ge(n,p)72Ga, 73Ge(n,p)73Ga, 72Ge(n,α)69mZn和74Ge(n, α)71mZn的反应截面值.
中子注量用93Nb(n,2n)92mNb反应截面得到. 单能中子由T(d,n)4He反应获得. 同时还列举了已收...
14MeV钕的同位素反应截面的测量
钕 反应截面 活化法
2009/5/25
报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法以93Nb(n,2n)92mNb反应截面为中子注量标准测得的150Nd(n,2n)149Nd,148Nd(n,2n)147Nd和142Nd(n,2n)141Nd的反应截面值.由13.5±0.2,14.1±0.1和14.6±0.2MeV中子引起的150Nd(n,2n)149Nd反应截面值分别为2037±85,1737±68,1657±65mb,148N...
13.5—14.6MeV中子能区镓的同位素反应截面的测量
镓 反应截面 活化法 放射性活度
2009/5/25
报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法以93Nb(n,2n)92mNb反应截面为中子注量标准测得的69Ga(n,2n)68Ga,69Ga(n,p)69mZn,71Ga(n,p)71mZn和71Ga(n,n′α)67Cu的反应截面值.由(13.5±0.2),(14.1±0.1)和(14.6±0.2)MeV中子引起的69Ga(n,2n)68Ga反应截面值分别为(794±31),(869±35...
190─200Pt偶质量同位素低能激发态的微观研究
微观方案 玻色子E2跃迁算子 E2约化跃迁矩阵元
2009/5/25
从壳模型组态､价核子间有效相互作用及费米子E2跃迁算子出发,利用一种以Dyson玻色子展开为基础的微观方案,给出了sdgIBM-1哈密顿量及玻色子E2跃迁算子,计算了190─200Pt偶质量同位素的低激发态能谱及E2约化跃迁矩阵元.理论计算结果与实验值或唯象工作做了比较,符合较好.
19F+51V耗散反应同位素类弹碎片的截面涨落
耗散反应 同位素产物 激发函数 能量相干宽度Γ 质量数A 中子过剩自由度N/Z
2009/5/25
采用飞行时间(TOF)加△E-E探测系统,在102.25-109.50MeV(能量步长为250keV)的19T+51V反应中,第一次给出了耗散碰撞同位素产物的激发函数,讨论了双核系统的能量相干宽度Γ与产物的质量数A和Γ与产物的中子过剩自由度N/Z的依赖关系.
25MeV/u 40Ar引起的反应中碎片同位素分布的研究
碎片产物 同位素分布 N/Z值
2009/5/25
本文描述了25MeV/u 40Ar+27Al、58Ni、115In反应中在小角区方向测得的出射碎片同位素分布及其产额,给出了出射碎片的中子数与质子数之比(N/Z)和靶核的关系. 并对出射碎片的来源进行了分析.