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中国科学院金属研究所等离子体CVD技术构筑金刚石-石墨材料取得新进展（图）
等离子体 石墨材料 电子器件
2024/5/13
共价金刚石-石墨材料，集合了金刚石和石墨的性质优势，能够实现超硬、极韧、导电等优越性能组合，在超硬和电子器件领域极具研究和发展价值。由于金刚石-石墨共价界面能高，目前主要通过高温高压方法来活化碳原子，实现该材料的构筑。等离子体化学气相沉积（CVD）是金刚石面向功能应用的主要发展方向，借助CVD技术构筑共价金刚石-石墨材料，并探索金刚石和石墨两相界面的新奇物性受到研究人员的关注。
中国科学院金属研究所专利：一种低温等离子体装置
中国科学院金属研究所 专利 低温 等离子体
2023/11/9
本发明涉及等离子体技术以及化工合成领域,具体为一种适合碳氢化合物高温热裂解以及利用碳氢化合物高温气体进行化工合成的低温等离子体装置。该装置将行波态微波波导/同轴转换结构与直流高压等离子体放电结构实现有机的结合,直流等离子体的悬浮阴极同时也构成了波导同轴转换的内导体,直流等离子体的接地空心阳极作为波导同轴转换的外导体,通过这一复合结构将微波高效率地作用在直流等离子体上,使常规的柱状等离子体变成丝状等...
中国科学院金属研究所专利：一种等离子体阴极与保护方法
中国科学院金属研究所 专利 等离子体 阴极保护
2023/11/8
本发明涉及等离子体技术以及化工合成领域,具体为一种应用于等离子体高温合成所使用的直流等离子体装置阴极与保护方法,解决现有等离子体阴极存在的能量利用率低、烧蚀严重的问题。该等离子体阴极为空心阴极和水冷阴极构成的复合阴极,复合阴极的一端为中空结构的空心阴极,复合阴极的另一端为带水冷结构的水冷阴极,空心阴极与水冷阴极上设有相互连通的气体通道,所述气体通道一端与气体入口连通,所述气体通道另一端与空心阴极的...
中国科学院金属研究所专利：一种在腔体外控制阴极移动的等离子体电弧炉