搜索结果: 16-30 共查到“知识要闻 半导体物理学”相关记录108条 . 查询时间(4.436 秒)
中国科学院沈阳分院大连化物所开发首例温和条件下超快氢负离子导体（图）
大连化物所 氢负离子导体 稀土氢化物
2023/5/10
2023年4月5日，中国科学院大连化学物理研究所氢能与先进材料研究部复合氢化物材料化学研究组研究员陈萍、副研究员曹湖军团队提出了一种全新材料设计研发策略，通过机械化学方法在稀土氢化物——氢化镧（LaHx）晶格中引入大量的缺陷和晶界，开发了首例温和条件下超快氢负离子导体。
近日，由上海宝山区企业费勉仪器牵头申报的国家重点研发计划基础科研条件与重大科学仪器设备重点专项项目“裂解源”获批立项，项目编号2022YFF0707600。
中国科学院微电子所在聚合物半导体薄膜分子取向起源机制取得重要进展（图）
聚合物半导体 薄膜分子 光电性能
2023/8/21
第三代聚合物半导体因其本征柔性及可拉伸性、低温加工工艺、可调谐光电性能、兼容大面积制造等优点，近年来得到了学术界和工业界的广泛关注。其中，聚合物半导体的固态分子取向对其电荷输运特性至关重要。但是目前，业界对薄膜中分子取向的起源还知之甚少。
中国科学院半导体所等在高质量半导体-超导纳米线研究方面取得系列进展（图）
半导体 超导纳米线 量子计算
2023/7/7
在实现量子计算的多种方案中，基于马约拉纳零能模的拓扑量子计算有望从物理原理层面解决量子退相干问题，受到广泛关注。理论预言，具有强自旋轨道耦合的窄禁带半导体InAs和InSb纳米线与超导体耦合，可以实现马约拉纳零能模和拓扑量子计算。然而，由于窄禁带半导体纳米线与常规超导体之间晶格失配很大，高质量样品的制备一直是制约半导体-超导纳米线拓扑量子计算研究的关键难题。
中国科学院半导体所在光力耦合研究中取得新进展（图）
光力耦合 激子光力学 半导体超晶格
2023/7/7
半导体所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员团队在光力耦合研究中取得新进展并受Nanoscale杂志的邀请在其“Nanoscale Quantum Technologies”Themed Collections发表“基于拓扑纳米声子超晶格的太赫兹腔光力学”（Terahertz cavity optomechanics using a topological nanophononic superla...
中国科学院半导体研研究所半导体激子-声子耦合研究取得进展（图）
半导体激子-声子 耦合研究 多声子过程
2022/8/30
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员张俊团队在半导体的激子-声子耦合的研究方面取得了系列进展。
科学家测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率（图）
超高热导率 半导体 砷化硼 载流子迁移率
2022/9/7
中国科学院国家纳米科学中心研究员刘新风团队联合美国休斯顿大学包吉明团队、任志锋团队，在超高热导率半导体-立方砷化硼（c-BAs）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得进展，为其在集成电路领域的应用提供重要的基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在《科学》（Science）上。
刘新风研究团队首次测定超高热导率半导体-砷化硼的载流子迁移率（图）
超高热导率 半导体-砷化硼 载流子迁移率
2023/1/10
国家纳米科学中心刘新风研究员团队联合休斯顿大学包吉明团队和任志锋团队在超高热导率半导体-立方砷化硼（c-BAs）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得重要进展，为其在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在 Science 杂志上。
中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展（图）
氧化镓功率 电子器件 半导体器件
2022/11/16
2022年6月7日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议（ISPSD，全称为：IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）。ISPSD是功率半导体器件和集成电路领域国际顶级学术会议。
中国科学院物理研究所观测到呼吸笼目半导体中的拓扑平带（图）
呼吸笼目 半导体 拓扑平带
2022/9/16
晶格结构、拓扑和磁性之间的相互作用会赋予材料丰富的物性，一个典型的案例是二维笼目（kagome）晶格。若采取简单的紧束缚模型计算，只考虑最近邻格点间的电子跳跃，可得到其特征性的能带结构——狄拉克锥与拓扑平带并存。该平带起源于kagome晶格中近邻格点间电子跃迁波函数的相位相消，并且受镜面对称性的保护。由于平带中存在大量能量简并的电子，因此电子关联效应非常强，可诱导出多种奇特的物态，如关联绝缘态、超...
金属半导体接触是半导体器件的基本组成部分，已经得到了广泛研究。伴随着二维材料和二维电子学的研究热潮，包括石墨烯、金属型碳纳米管和金属相过渡金属二硫族化合物等众多范德华半金属被用作二维半导体的接触材料。得益于紧密完整的范德华界面、无费米能级钉扎和半金属的弱静电屏蔽能力，半金属半导体接触已在构建高性能二维场效应晶体管和低维可重构器件等方面展现出巨大潜力。深入研究低维半金属半导体接触将具有重要理论意义和...
作为一种超宽禁带半导体材料，AlN因具有击穿场强高、耐高温高压性能好、压电性能优异等特点而受到了研究者们的广泛关注。AlN在各种光电、电子电力器件和声波滤波器中均存在相关应用，考虑到现阶段单晶AlN衬底生长技术还不成熟，AlN薄膜主要依赖异质外延技术进行制备。目前，在各种外延技术中，金属有机化学气相沉积（MOCVD）被认为是外延AlN最为广泛使用的技术之一，但始终面临着生长周期较长、成本较高，以及...
单晶金刚石的半导体应用以及“弹性应变工程”（图）
单晶金刚石半导体 金刚石单量子系统 碳基半导体
2022/3/7
近期，香港城市大学陆洋教授课题组系统总结并展望了金刚石（人造钻石）的半导体应用潜力及其在微纳尺度下“弹性应变工程”所带来的新机遇。文章综述了学术界与业界基于金刚石实验建模和构建的高压开关二极管、大功率高频场效应晶体管、微/纳机电系统以及在高温下工作的器件等多方面的努力，讨论了解决金刚石器件规模化应用的一些积极进展，并强调高质量化学气相沉积（CVD）大尺寸单晶金刚石薄膜的制备需求以及电子级应用下单晶...
超过5秒！量子态保持时间刷新纪录 有助制造分布式量子互联网
量子信息 量子态 半导体量子位 碳化硅
2022/2/23
据最新一期《科学进展》报道，美国能源部（DOE）阿贡国家实验室和芝加哥大学的科学家取得了量子科学研究的重大突破：他们能够按需读出量子位，并将量子态保持完整超过5秒，从而创下新纪录。此次的量子位由易于获得的碳化硅材料制成，碳化硅目前广泛用于灯泡、电动汽车和高压电子设备中。
