搜索结果: 61-75 共查到“知识要闻 半导体物理学”相关记录108条 . 查询时间(4.111 秒)
铁磁/半导体异质结构研究助推固态量子器件研发
铁磁 半导体 异质结构 固态量子器件
2019/11/13
在国家重大科学研究计划的支持下，由中科院半导体所、同济大学、北京科技大学、山东大学等单位的科学家组成的团队，围绕着基于高品质垂直磁各向异性铁磁/半导体异质结构的固态量子器件研发中的重大科学问题，瞄准新型半导体自旋电子器件研制，以实现高密度集成、高性能、超高速、低功耗、抗电磁干扰、高热稳定性，并且易于与成熟的半导体工艺相兼容为出发点，通过理论和实验研究相结合，在垂直磁各向异性薄膜结构及性能研究、自旋...
北京大学工学院莫凡洋课题组在iScience上发表有机联硼化合物在半导体氧化物改性及能源转换方面的新应用（图）
北京大学工学院 莫凡洋 课题组 iScience 有机联硼化合物 半导体氧化物 能源转换 新应用
2019/10/22
联硼化合物是一类具有硼硼键（X2B–BX2）的有机硼化试剂，广泛用于有机底物的硼化反应。有机硼化合物非常重要，相关的人名反应有Suzuki偶联和Miyaura硼化等（图1）。有机联硼化合物一直在有机合成领域大显身手，“跨界”到能源转换方面也有新应用。
借助石墨烯实现Si（100）衬底上单晶GaN薄膜的外延生长（图）
石墨烯 Si（100）衬底 单晶GaN薄膜 外延生长
2019/10/12
近日，北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技...
磁性热电半导体耦合输运研究取得重要进展（图）
磁性 热电 半导体 耦合输运
2019/9/24
在传统的基于自由电子扩散的热电输运中，塞贝克系数α电子的化学势μ对外加温度梯度的微分（α≡-∇μ/∇T），α等同于电子的熵。电子是费米子，受泡利不相容原理制约，其自由度非常有限。因此，电子的α可以用Mott公式表示：这里，σ(E)是电子电导率，E, σ, kB, e分别是电子能量，电导率，玻尔兹曼常数和元电荷。在电子浓度足够高时，材料表现出较好的电导率，σ(E)几乎不随能量...
近期，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促...
HgCr2Se4的高压调控研究取得新进展（图）
HgCr2Se4 高压调控 铁磁半导体性质 尖晶石结构
2019/8/13
上世纪70年代人们发现尖晶石结构的ACr2X4 (A = Cd, Hg, X=Se, S)具有铁磁半导体性质，其中Cr3+离子局域磁矩通过超交换形成长程铁磁序，而s-d交换相互作用使s轨道电子主导的导带发生较大的自旋劈裂。由于这类材料中自旋和电荷自由度间的强烈耦合造成了许多有趣现象，在过去几十年吸引了较多关注。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心多个课题组近期开展了系列研究。2011年...
山东大学物理学院郝晓涛教授当选英国物理学会会士
山东大学物理学院 郝晓涛 教授 英国物理学会 会士 有机半导体物理与器件 超快光谱学 显微学
2019/8/8
日前，物理学院郝晓涛教授收到英国物理学会确认通知，当选为英国物理学会会士（Fellow of the Institute of Physics，FInstP）。郝晓涛教授是2010年以来继陈峰教授之后物理学院第二位当选的英国物理学会会士。郝晓涛，物理学院教授、博士生导师，晶体材料国家重点实验室固定成员。主要研究方向为有机半导体物理与器件、超快光谱学与显微学等，在有机太阳能电池、有机半导体表面物理、...
科睿唯安（Clarivate）最近公布了2018年全球高被引科学家名单，西安交大共4名教授入选。其中，能动学院郭烈锦院士、理学院丁书江教授、材料学院马伟教授三人入选交叉学科领域的高被引科学家名单，人居学院程海教授入选地球科学领域高被引科学家名单。
西安交通大学4人入选2018年全球高被引科学家名单
西安交通大学 2018年 全球高被引科学家 名单
2018/12/13
科睿唯安（Clarivate）最近公布了2018年全球高被引科学家名单，西安交大共4名教授入选。其中，能动学院郭烈锦院士、理学院丁书江教授、材料学院马伟教授三人入选交叉学科领域的高被引科学家名单，人居学院程海教授入选地球科学领域高被引科学家名单。
复旦大学在准一维超导体研究中获重要进展
复旦大学 一维超导体 研究 进展
2018/11/21
复旦大学物理学系教授修发贤课题组在准一维超导体Ta2PdS5纳米线的研究中获重要进展。相关研究成果日前在线发表于《自然—通讯》。
突触晶体管是近年来提出的一种三端忆阻器件，利用其电阻态的非易失性连续变化可以进行神经突触功能的模拟。其结构和工作模式与传统的半导体硅基场效应晶体管相似，通过施加栅极电压来调节忆阻晶体管源极和漏极之间沟道电阻的大小。但是，与硅基场效应晶体管不同的是，突触晶体管采用了具有迁移离子的电解质材料代替二氧化硅作为栅隔离层。在栅极电压作用下，迁移离子与沟道材料发生电化学反应并注入到沟道中，使得在栅极电压去除后...
和诺贝尔奖获得者面对面，聚焦物理学科前沿发展。10月13日下午，诺贝尔物理学奖获得者中村修二教授做客西工大“翱翔名家讲堂”，作了题为“The Invention of High Efficient Blue LEDs and Future Solid State Lighting”学术报告。现场座无虚席，近500名师生聆听了这场关于蓝光LED发展的高端学术报告。校长助理杨益新介绍了中村修二教授的简...
PRL报道北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心杨学林、沈波课题组关于氮化物半导体掺杂研究重要进展（图）
PRL 北京大学物理学院 宽禁带半导体 杨学林 沈波 课题组 氮化物 半导体掺杂研究
2018/10/18
美国物理学会Physical Review Letters（PRL）期刊2018年10月5日在线发表了北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心和“新型半导体低维量子结构与器件”创新群体的最新研究成果“Unambiguous Identification of Carbon Location on the N Site in Semi-insulating GaN”。III族氮化物（又称GaN基）宽禁带...
华中科技大学土木学院胡元太团队揭示机械加载对压电PN结电学性能调控规律（图）
华中科技大学土木学院 胡元太 机械加载 压电 PN结 电学性能
2018/8/24
2018年8月16号，材料科学及物理学领域的顶级期刊Nano Energy（IF：13.12）在线刊发了土木学院胡元太教授课题组的最新研究成果“Adjustment and control on the fundamental characteristics of a piezoelectric PN junction by mechanical-loading（Nano Energy, Vol....
