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据物理学家组织网2013年6月2日报道,美国科学家设计出了一种新的打印过程,不仅比传统方法更迅捷,而且适用于多种有机材料,得到的有机半导体薄膜的性能也要优异10倍。研究人员在最新一期的《自然·材料学》杂志上表示,最新进展有望引领有机电子设备领域的新变革。
随着器件尺寸的不断缩小,传统存储器的发展受到了越来越多的限制,具有结构简单、工作速度快、功耗低、与CMOS 兼容、非挥发性等优点的新型阻变存储器研究受到了越来越多的关注。到目前为止,阻变材料的工作机制尚无定论,但研究者认为氧空位在阻变过程中起着重要的作用。由于实验中直接观测到氧空位比较困难,氧空位对阻变效应的作用依然缺乏实验上的直接证据。
由中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室研究人员发明的专利“用于水润滑的织构化类金刚石复合薄膜的制备方法”,于近日获得国家发明专利授权(专利号:ZL200810189022.1)。
中科院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室研究人员在石墨烯基多层薄膜的构筑及其摩擦学性能研究方面取得新进展。在由氧化石墨烯(GO)外层和3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)自组装底层修饰的硅基片上,研究人员进一步接枝了十八烷基三氯硅烷(OTS)分子,成功地构筑了疏水的APTES-GO-OTS三层膜。对其微结构和摩擦学性能研究表明,该三层膜呈现低粘着性,且其微观摩擦学性能和宏观摩擦学性能均显著...
中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)超导实验室的曹立新副研究员带领博士生韩烨、李位勇,与相关科研人员合作,在铁基超导体薄膜研究中取得系列进展。
成都企业部隔热膜项目进展顺利          2008/1/7
近日,成都企业部隔热膜项目部按计划完成了相关系统的设计加工。同时,经院组织专家多次论证和修改,示范生产线所用的卷绕镀膜机总体设计方案目前已基本确定,现正在进行方案的细化及工程设计。  今年,成都企业部承担了我院军转民项目“柔性基材卷绕磁控镀膜产业化技术开发”。为顺利完成项目开发计划,成都企业部集中真空、机械、镀膜、电气、化工、光学等多学科专业技术人员成立了隔热膜项目部。该项目时间紧、任务重,项目部...
应中国科学院理化技术研究所功能纳米材料研究组邀请,日本理研Toyoki Kunitake教授于2007年10月23日下午来到理化所讲学,作了题为“Recent Developments in Giant nanomembranes”的学术报告。
由我所黄志明研究员负责承担的上海市青年科技启明星项目“高红外吸收室温型铁电薄膜红外探测器结构研究”顺利通过验收。室温型铁电薄膜红外焦平面列阵是当今研究的热点之一,对现有器件原型性能突破的最大潜力在于提高其对红外光的吸收率。通过本项目的研究,项目组成功制备了8~14微米波段红外共振腔结构,最高吸收达到80%。有1项专利获第五届中国国际发明奖金奖。在国内外著名刊物上发表学术论文34篇,其中一篇被美国N...
2006年1月9日,全国科学技术大会在人民大会堂隆重召开,我所“碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究”荣获国家自然科学二等奖。碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究是红外光电子信息学科的科学前沿,主要研究碲镉汞半导体中的带间光吸收跃迁效应以及带内、杂质、声子光跃迁、载流子输运和碲镉汞红外焦平面材料器件研制的基本物理问题。研究结果不仅发展了窄禁带半导体物理学,而且可应用于碲镉汞材料设计...
2006年1月9日,全国科学技术大会在人民大会堂隆重召开,我所“碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究”荣获国家自然科学二等奖。碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究是红外光电子信息学科的科学前沿,主要研究碲镉汞半导体中的带间光吸收跃迁效应以及带内、杂质、声子光跃迁、载流子输运和碲镉汞红外焦平面材料器件研制的基本物理问题。研究结果不仅发展了窄禁带半导体物理学,而且可应用于碲镉汞材料设计...
由中科院综合计划局主持的院仪器研制改造项目-“高级光学薄膜成膜系统”验收会,于2005年4月1日在我所举行。由上海光机所、复旦大学、上海104所等单位组成的验收专家组,听取了我所第八研究室做的工作报告、测试报告和用户使用报告,并在设备现场进行了实地考察,对相关情况进行了质询。审核了技术档案文件和财务报告,并逐项审核了项目验收的主要技术指标。专家组一致认为技物所项目组成员在研制过程中,作了大量的研制...
由上海市科委主持的启明星项目“高红外吸收室温型铁电薄膜红外探测器结构研究”验收会于2005年2月2日在我所召开。该项目成果喜人:在黄志明博士的带领下,项目组成功地制备了8~14微米波段红外共振结构,最高红外吸收达到80%;实现了不同膜厚(35~180nm)的透明金属氧化物薄膜电极材料的红外光学常数研究。从该项目中诞生的一项专利获得了第五届中国国际发明奖金奖;在国内外著名刊物上发表学术论文34篇,其...
近日,所创新项目“Si基碲镉汞外延技术”完成总结报告。一年来,该项目取得如下主要成果:在国内首次成功实现了用MBE的方法制备3英寸Si基CdTe(211)B复合衬底薄膜材料。研究结果将直接应用于大面积SHgCdTeIRFPA材料的生长制备,对提高器件可靠性,增大规模尺寸有重要价值,对下一代大规模红外焦平面器件的发展具有重大意义。研究成果获得国内外广泛关注,已提国内刊物论文2篇,国际会议特邀报告2篇...
我所薄膜生长和铁电薄膜特性研究获上海科学技术进步三等奖 2001.12.27
2007年1月15日消息,近日,中国科学院物理所表面物理国家重点实验室SF4研究组及其合作者在薄膜生长动力学研究中取得新进展。他们从实验和理论上研究了Si(111)单晶衬底上Pb薄膜中的厚度变化对原子表面扩散运动的影响,证明了量子尺寸效应对原子表面扩散运动的调制作用。该成果被选作封面图片发表在美国《物理评论快报》(Phys. Rev. Lett. 97, 266102(2006))上。

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