搜索结果: 1-15 共查到“知识库 电子科学与技术”相关记录9455条 . 查询时间(1.421 秒)
科技成果评价流程(图)
科技成果 评价流程
2024/10/15
射频同轴连接器选型与仿真(图)
射频 同轴 连接器
2024/10/15
近年来,美国对华半导体竞争呈现强化的态势。在拜登政府构建半导体产业联盟的过程中,盟国对美国的追随程度不尽相同。
厦门大学集成电路科学与工程博士后科研流动站于2023年建站,依托于厦门大学电子科学与技术学院,具有雄厚的科研力量。
电磁与电子技术研究所成立于2003年,其前身是1952年成立的电机教研室,是我国最早从事特种电机研究的学科。隶属于电气工程一级学科、电机与电器国家重点二级学科。
专家谈术语|集成芯片
集成芯片 Integrated Chips 晶体管 集成电路
2024/9/19
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/3/5
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
在双负载无线电能传输系统中,副边线圈之间的耦合干扰问题成为制约系统性能的重要因素。为此,提出一种单发射-双接收磁耦合机构,旨在解决两个副边线圈之间的耦合干扰问题,并通过原边线圈的设计实现两个负载获得相同的能量输出。在不采用屏蔽材料和控制方法的情况下,该机构仅通过线圈结构设计即可实现两个副边线圈的完全解耦。实验结果表明,采用该机构的无线电能传输系统在双负载情况下,两负载互不影响且系统能量传输效率可达...
基于中继线圈的电动汽车静态无线充电系统抗偏移性能提升研究
无线电能传输 中继线圈 抗偏移能力
2024/3/5
横向偏移问题是无线电能传输WPT(wireless power transfer)系统在电动汽车领域的应用中面临的主要难题。为提升电动汽车静态无线充电系统抗偏移性能,提出一种基于中继线圈切换的WPT系统。首先,建立了两线圈结构与三线圈结构WPT系统数学模型。其次,研究了两线圈结构与三线圈结构WPT系统抗偏移性能,通过结合两线圈结构与三线圈结构的优势,提高系统整体抗偏移能力。最后,搭建样机进行实验验...