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三维编织C/SiC纤维复合块材的XPS研究
C/SiC复合材料 X射线光电子能谱（XPS） 小面积XPS 成象XPS
2009/12/9
用常规XPS、小面积XPS和成象XPS研究了三维编织的C/SiC纤维复合材料.结果表明，在燃气中灼烧后材料表面生成的暗红色反应是由于层中的SiC已氧化成氧化硅,同时反应层中还引入了杂质Fe、Na、Ca和Al；在反应层下Si以元素Si、SiC和氧化硅多种形式存在.块材横截面的多点小面积XPS分析结果表明，元素硅的相对浓度随深度增加而减少, SiC的相对浓度则随深度增加而增加.块材横截面的成象XPS分...
结合毛细管微模塑技术、模板技术和先驱体转化技术, 以图案化聚二甲基硅氧烷(PDMS)弹性体为模具,以氧化硅凝胶小球为模板, 以液态聚碳硅烷(PCS)为先驱体, 经过氧化硅凝胶小球图案化模板的形成, 先驱体的渗入, 模板中先驱体的交联, 弹性模具的去除, 图案化先驱体的无机化和模板的去除, 制备了图案化多孔SiC 陶瓷.研究结果表明：所制备的图案化多孔陶瓷中, 图案的尺寸受图案化PDMS 弹性模具的...
在分子束外延(MBE)设备中, 采用高温退火的方法在6H-SiC表面外延石墨烯, 并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征. RHEED结果发现, 不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹. AFM测试表明,...
铅离子辐照注碳4H—SiC的红外光谱特性研究
傅立叶变换红外光谱 离子注入 卢瑟福背散射分析
2009/11/27
主要研究了铅离子辐照注碳4H—SiC样品在3个不同退火温度下傅立叶变换红外光谱的变化。从红外谱的变化可以知道铅辐照注碳4H-SiC样品在一定深度内出现了非晶层，波数在960—1450cm^-1范围内出现了干涉带，干涉带强度随着退火温度的升高而 变弱。1373K退火后样品的卢瑟福背散射分析结果显示，一定深度内硅原子的背散射产额明显减少。
榉木经高温热解转化为生物碳模板, 通过液相渗硅反应工艺制备了保持木材微观结构的多孔SiC陶瓷. 在生物形态多孔SiC陶瓷载体上采用原位沉积晶种-二次生长法在其微孔道内壁形成了一层5 μm厚的Silicalite-2分子筛膜. 利用XRD, SEM和BET对复合材料的相组成、微观结构和比表面积进行了表征, 研究了水热晶化温度对原位沉积晶种和二次生长成膜的影响. 经原位沉积(120 ℃, 36 h)晶...
三维有序SiC空心球的制备及表征
三维有序 SiC空心球序列 陶瓷前驱体转化技术 SiC陶瓷
2009/11/16
以三维有序多孔碳为模板, 以聚甲基硅烷(PMS)为前驱体, 经过前驱体的渗入、交联和陶瓷转化以及多孔碳模板的烧除, 制备了长程三维有序SiC空心球. 所制备的SiC空心球的外径(135-896 nm)、 球壳厚度(14-79 nm)、 BET比表面积(50.8～5.0 m2/g)及微孔体积(0.265～0.038 cm3/g)受不同孔径的多孔碳模板(150-1 000 nm)或不同前驱体浓度的控制...
SiC空间反射镜材料及其表面改性技术现状分析
SiC SiC反射镜 表面改性
2009/11/2
SiC材料具有良好的物理特性和机械特性，是制备大口径空间反射镜的主要候选材料之一，而SiC反射镜的制备、加工及其表面改性技术是推动高水平空间光学系统应用的重要条件。本文从实际工程应用的角度出发，分析了几种常用SiC基底反射镜材料的特性，介绍了4种SiC的制备工艺。研究了目前国内外SiC基底反射镜的应用现状及其表面改性情况，对改性层的性能指标、制备工艺和发展趋势进行了深入讨论。针对目前国内反射镜材料...
6H-SiC的A1(LO)拉曼峰低温温度特性研究
碳化硅 拉曼光谱 低温
2009/11/2
对6H-SiC单晶体材料进行了从80到320 K的低温变温拉曼光谱测量，从实验得到的谱图上指认了部分6H-SiC的折叠拉曼峰，重点利用三声子模型和四声子模型分析了A1(LO)光学声子模峰位和线宽在低温下随温度的变化特性。实验发现，随着温度降低，LO声子模谱峰中心向高波数移动，线宽减小;同时发现当温度低于160 K时，无论是谱峰中心位置还是线宽的变化都趋于平缓，这是在常温和高温下观察不到的，说明在1...
化学气相反应法制备不同碳基体表面SiC涂层组织结构分析
C/C复合材料 石墨 抗氧化涂层 SiC
2009/10/15
采用化学气相反应法, 以同种工艺分别在石墨和C/C复合材料表面制备了SiC涂层, 借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱分析等手段分析了涂层的微观结构, 研究了不同碳基体对SiC涂层结构和表面形貌的影响, 并初步对比考察了涂层的高温抗氧化性能. 结果表明: 制备的SiC涂层整体致密, 与基体结合良好, 但存在明显的结构差异. 石墨表面制得的SiC涂层呈梯度分布, 涂层主要由致密外层及...
磁控溅射DLC/SiC/Ti多层膜对镁合金摩擦磨损性能的影响
镁基材 薄膜 摩擦磨损 磁控溅射
2013/10/8
采用室温磁控溅射技术在镁合金(AZ91D)表面制备DLC/SiC/Ti(类金刚石/碳化硅/钛)多层膜(SiC,Ti为中间层),研究了薄膜的纳米压痕行为和膜基系统的摩擦磨损性能。试验结果表明:DLC薄膜具有低的纳米硬度(4.01GPa)和低的弹性模量(40.53GPa),但具有高的硬弹比(0.10);膜基系统具有好的摩擦磨损性能;在以氮化硅球为对磨件的室温干摩擦条件下摩擦系数平均约为0.19,与镁合...
120keV的N+注入SiC薄膜的光谱特性研究
SiC N+注入 光致发光谱 傅立叶红外光谱
2009/7/3
文中主要研究了120keV的N+注入后SiC薄膜样品的光致发光谱(PL)和傅立叶红外光谱(FTIR)特性.从红外光谱可以看到有明显得碳氮单键、双键、三键等新结构生成.从PL光谱则发现365nm处的发光峰明显增强,这表明N+注入使得带隙中深的能级辐射中心复合的效率大幅度提高
Potential Performance of SiC and GaN Based Metal Semiconductor Field Effect Transistors
Ballistic transport frequency response Steady-state Drain current
2010/7/5
A Monte Carlo simulation has been used to model steady-state electron transport in SiC and GaN field effect transistor. The simulated device geometries and doping are matched to the nominal parameters...
SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究
阴极荧光 4H-SiC 无损表征 位错及堆垛层错
2010/5/4
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中，表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的，因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究。结果发现利用阴极荧光可以观测到晶体内部的堆垛层错、刃位错和螺位错以及基面位错，其阴极荧光图中的形貌分别为直角三角形、点状和短棒状。因此该方法成为SiC晶体缺陷的无损表征...
硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响
硅衬底碳化 异质外延 SiC薄膜结构
2009/2/17
用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 s...
中国科学院物理研究所宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展
宽带隙半导体 SiC非磁性掺杂 进展
2009/2/13
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室陈小龙研究组采用非磁性Al元素对SiC进行掺杂，获得了Al掺杂的4H-SiC单相样品。磁性测量结果表明，通过掺杂Al元素（~0.75atm%）在样品中建立了长程磁有序和自旋玻璃共存的现象，即玻璃态铁磁性。一种可能的解释为：Al原子最外层为3个电子，比Si最外层少1个电子，通过Al元素的掺入，在SiC中引入了未成对电子，导致自旋磁矩的存在。这些自旋磁矩通...