搜索结果: 46-56 共查到“理学 SiC”相关记录56条 . 查询时间(0.148 秒)
采用蔗糖为碳源, 正硅酸乙酯(TEOS)为硅源, 分别以草酸、硝酸铁、硝酸镍为催化剂, 用溶胶-凝胶法制备碳化硅前驱体, 考察了制备过程中催化剂的种类以及反应温度和时间对凝胶形成的影响. 发现以硝酸铁为催化剂最有利于凝胶的形成, 碳/硅物质的量比为4的前驱体在氩气气氛1350 ℃下加热10 h, 碳热还原反应趋于完成. 以该条件下合成的多孔碳化硅(比表面积133 m2·g-1)作为催化剂载体, 通...
Atomic Design of Polarity of GaN Films Grown
on SiC(0001)
polarity total energy calculation adlayer interface
2007/8/15
2004Vol.41No.4pp.609-613DOI:
Atomic Design of Polarity of GaN Films Grown
on SiC(0001)
DAI Xian-Qi,1,2 WU Hua-Sheng,2 XU Shi-Hong,2 XIE Mao-Hai,2 and S.Y. Tong3
1 Physi...
多孔硅衬底上溅射沉积SiC：Tb薄膜得光致发光行为
2007/7/28
专著信息
书名
多孔硅衬底上溅射沉积SiC：Tb薄膜得光致发光行为
语种
中文
撰写或编译
作者
徐大印,刘彦平,何志巍,方泽波,刘雪芹,王印月
第一作者单位
出版社
物理学报 53 (8) 2694-2698 （2004）
出版地
出版日期
2004年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
超低介电常数纳米多孔薄膜材料的制备和特性研究
期刊信息
篇名
A light-activated SiC Dalington transis- tor using SiCGe as base layer
语种
英文
撰写或编译
作者
陈治明,蒲红斌 Fred R. Beyette Jr
第一作者单位
刊物名称
Chinese Phys. Lett
页面
Vol.20 (3), pp.430-432, (2003)
出版日期
2003年
月
日...
期刊信息
篇名
Layered growth modelling of epitaxial growth processes for SiC polytypes
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Z. Q. Liu and J. Ni
第一作者单位
清华大学
刊物名称
J.Phys.: Condens. Matter
页面
17, 5355 (2005).
出版日期
2005年
月
日
文章标识...
Pseudopotential-Based Full Zone k . p Technique for Indirect Bandgap Semiconductors: Si, Ge, Diamond and SiC
Band structure indirect bandgap semiconductors pseudopotentials
2010/4/9
The k . p is a versatile technique that describes the semiconductor band structure in the vicinity of the bandgap. The technique can be extended to full Brillouin zone by including more coupled bands ...
利用具有核壳结构的SiO2@PPy粒子制备SiC空心球
核壳结构 SiC 空心球 碳热还原反应
2010/1/19
碳化硅(SiC)材料具有耐高温、 耐酸碱腐蚀和高机械强度等优异性能, 因此, 许多研究者都致力于制备优良的SiC材料以取代传统材料用作苛刻条件下催化剂的载体材料[1～4]. 研究结果表明, 具有高比表面积和空心核结构的载体材料可以负载更多的异质催化剂, 从而提高催化剂的催化性能. 因此, 制备同时具有高比表面积和空心核结构的SiC材料具有重要的应用价值. 传统的碳热还原反应、 自蔓延高温合成、 聚...
以CH3SiCl3-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃...
Numerical Simulation of the Optical Properties of SiC/SiO2 Quantum Dots
Numerical Simulation the Optical Properties SiC/SiO2 Quantum Dots
2010/10/21
We perform a theoretical investigation of the absorption and emission properties of quantum confined SiC/SiO2 spherical quantum dots, focusing on the the size-dependent emission and absorption spectra...