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磁斯格明子是一种拓扑保护实空间的非共线磁涡旋准粒子,具有纳米尺寸、结构稳定、易调控、驱动阈值电流小等诸多优点,有望成为下一代高容量、高速读写、低功耗、非易失性信息存储及逻辑运算的信息载体。而磁斯格明子的形成、稳定和运动和一个磁相互作用(反对称交换耦合又称Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI))紧密关联,后者作为一个基本磁相互作用,又有着深刻的内禀物理性质,最近20年受到了基础...
有机框架材料在能源、催化、存储等领域展示了巨大的应用前景,受到广泛关注。不同于传统的有机聚合物材料,有机框架材料不溶解、不融化,难以加工成高质量的薄膜。在中国科学院先导B专项和国家自然科学基金委的大力支持下,化学研究所有机固体院重点实验室陈建毅研究员和刘云圻院士开展了二维有机框架薄膜材料的可控组装及规模化制备策略研究,并取得了系列研究进展(Angew. Chem. Int. Ed. 2021, 6...
当半导体激子跃迁与光学微腔中的腔内光子能量交换速率大于他们的平均损耗时,耦合系统就会进入强耦合状态,形成新的准粒子-激子极化激元 (exciton-polariton). 极化激元作为一种半光、半物质的粒子,它不仅具备光子的优异特性,例如小的有效质量、快的传播速度和长程的时空相干特性,同时也在物质层面加强了粒子间的相互作用,大大增强了非线性效应。 因此,激子极化激元在实现诸如玻色-爱因斯坦凝聚、低...
二维过渡金属硫族化合物是最具应用前景的二维量子材料体系之一,具备层数依赖的可调带隙、自旋-谷锁定特性、超快响应速度、高载流子迁移率、高比表面积及独特的光/电催化活性,同时兼容当代微纳加工工艺,有望推动新一代量子材料技术应用的变革。实现上述极致性能的前提是获得高质量的晶体材料。当前,虽然二维过渡金属硫族化合物单晶的晶圆级制备已经实现,但是如何进一步降低其缺陷密度以实现高品质材料合成依然面临巨大挑战。
界面态具有巨大的实际应用价值,因此寻找界面态是一个既有科学意义也有应用前景的课题。在本文中,我们通过把二维正方晶格声子晶体的结构单元进行倾斜,构造出具有线性狄拉克色散的斜方晶格体系。狄拉克色散引起体能带Zak相位的π跃变,使得位于狄拉克锥投影能带两边的带隙具有不同符号的表面阻抗,从而导致由正方晶体体系与由其“倾斜”的斜方晶格体系构成的界面处存在确定性的界面态。
二维范德瓦尔斯材料(可简称二维材料)已发展成为备受瞩目的材料大家族,而由其衍生的二维范德瓦尔斯异质结构的集成、性能及应用是现今凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一.二维范德瓦尔斯异质结构为探索丰富多彩的物理效应和新奇的物理现象,以及构建新型的自旋电子学器件提供了灵活而广阔的平台.本文从二维材料的转移技术着手,介绍二维范德瓦尔斯异质结构的构筑、性能及应用.首先,依据湿法转移和干法转移的分类,详细介...
探索信息储存和传输的新方式是凝聚态物理领域中的重大挑战之一。自旋电子学利用电子的自旋自由度作为信息载体。由于器件的局域磁性很难被直接探测,有效的自旋-电荷转换是自旋电子学应用的一个先决条件。近年来,随着带有显著相对论性自旋-轨道耦合的材料被发现,逆自旋霍尔效应和逆拉什巴-爱德斯坦(Rashba-Edelstein)效应被广泛运用于将自旋流和自旋压转换为电流。这些效应依赖于准粒子的扩散输运,因此自旋...
随着石墨烯材料的发现,二维材料被人们广泛认识并逐渐应用,相比于传统二维材料,二维过渡金属碳化物(MXene)的力学、磁学和电学性能更加优异.本文分别利用HF溶液和LiF/HCl溶液刻蚀Ti3AlC2获得了Ti3C2Tx样品,通过电子扫描显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和气敏特性分析,研究了刻蚀剂对Ti3C2Tx材料结构和气敏性能的影响.材料结构分析表明:HF和LiF/HCl刻蚀剂均对T...
研究析氢反应(HER)催化剂,用于高效产氢对于缓解能源危机、实现碳达峰和碳中和的战略目标具有重要意义。Pt/C被认为是一种高效的HER催化剂,然而,由于资源稀缺,成本高,以及可能引起的重金属污染,限制了其大规模应用。因此,开发可替代的非金属催化剂成为该领域的研究热点。二维有机框架薄膜材料是有机化合物通过共价键或配位键形成的二维多孔网状材料,由于具有高度有序的孔洞结构、大的比表面积和可调控的活性位点...
二维磁性材料自2017年被发现以来,已成为物理学及相关领域的研究热点之一。单层二维磁性材料因具有原子级厚度,为研究极限厚度下光与物质相互作用和相关磁光电现象提供了平台;另外,二维磁性材料因具有层状结构,可与其他材料形成范德华接触,为构建种类丰富的高性能磁光电器件提供了可能,在下一代信息技术领域具有广阔的发展前景。
半导体中的孤立缺陷在带隙中形成易于探测和操控的缺陷态。在单缺陷态中对多重量子态的操控,可以用来实现量子计算或者存储的最小量子比特。另外,如果对单原子的孤立能隙态进行操控,还有可能获得非传统的量子光源,在量子密钥分发、量子中继和量子传感等方面具有潜在的应用。孤立缺陷具有电荷和自旋两种可被操控的自由度,以往的研究主要专注于对自旋量子态的操控,但是对自旋量子态的操控需要用到磁场等外场,难以实现未来量子芯...
基于场效应晶体管(FET)的大规模集成电路是信息时代的基石。在过去的半个多世纪,遵循摩尔定律,FET的尺寸不断缩小,芯片上FET数量得以不断增加,芯片功能日趋多元化。如今,市场上的硅基晶体管尺寸已经降至18 nm栅长。由于受到短沟道效应的影响,继续缩短栅长,器件性能会大幅度下降,这引发了半导体业界对于摩尔定律失效的担忧。相比于三维体材料,二维材料因尺度极薄而具有更好的栅控性能,因表面光滑无悬挂键而...
近日,由武汉大学物理科学与技术学院何军教授和美国威斯康星大学麦迪逊分校金松教授组成的联合研究团队在二维过渡金属磷硫化物(MPX3,M为金属元素,X为S、Se)磁性研究方面取得重要进展,实验发现在具有本征强关联反铁磁性范德华层状Ni1-xCoxPS3材料中通过S缺陷调控可以引入低温铁磁特性。
以1,3,6,8-四(对胺基苯基)芘为构筑单元,通过席夫碱缩合反应,利用表面活性剂单分子层辅助的界面聚合法制备了芘基二维聚合物薄膜。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射、荧光光谱、傅里叶变换红外光谱和拉曼光谱考察了薄膜形貌、结构、结晶性和荧光强度等。结果表明:薄膜厚度约70nm,可通过单体浓度进行调控;表面活性剂单分子层的限域作用促进了薄膜的结晶性,而分子内氢键使其具有荧光...
原子级厚度的二维氮化碳因具有3.06 eV的本征带隙而比零带隙的石墨烯在自旋半导体应用方面具有更大的潜能。然而,该材料本身没有未配对电子为本征抗磁性,这限制了其在自旋半导体中的应用。因此,如何在该材料中引入高浓度局域自旋并实现其长程铁磁耦合,从而实现强的室温铁磁性是一项紧迫而具有挑战性的课题。

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