搜索结果: 61-75 共查到“电子电路”相关记录2524条 . 查询时间(1.328 秒)
中国科学院声学研究所专利：一种应用于随钻声波测井仪的采集控制电路及测井装置
中国科学院声学研究所专利：一种具有正负增益范围的对数型增益控制装置
中国科学院声学研究所专利：一种用于电路板级测试的脚本调试方法、装置及其系统
广东省自动化学会理事尹向阳高级工程师
广东省自动化学会 理事 尹向阳 电源电路
2023/3/7
尹向阳，男，（1967.10-）广东省自动化学会理事，广州金升阳科技有限公司董事长，哈尔滨工业大学电子工程专业毕业，学士，高级工程师。
中国科学院声学研究所专利：一种寄存器堆的循环缓冲电路及其方法，处理器装置。
中国科学院微电子所在2T0C DRAM研究取得创新进展（图）
铟镓锌氧 晶体管 电路控制
2023/8/21
动态随机存储器（DRAM）是存储器领域中的一个重要分支。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C无电容DRAM，有望突破传统1T1C-DRAM的微缩限制、高刷新率等问题。但相比传统的1T1C结构，2T0C-DRAM仍存在诸多挑战：由于其读字线与写字线位于读晶体管的源漏端，存在潜在的电流分享路径，不利于读写操作；两条独立的读/写位线使得电路布局布线更复杂，需要更复杂的外围电路控制读写；在阵列级的DR...
浙江工商大学信息与电子工程学院余长宏副教授（图）
余长宏 浙江工商大学信息与电子工程学院 副教授 系统集成 电路优化设计
2022/12/29
余长宏，男，1978年11月生，博士、副教授。主讲《电路CAD(英)》、《现代ASIC技术》（硕）等课程。主要研究方向为系统集成及电路优化设计等。2002年浙江大学电子信息工程学士；2007年浙江大学通信与信息系统博士。主持浙江省自然科学基金青年基金项目一项，完成省教育厅科研项目一项。以第一作者发表EI论文10余篇。
中国科学院微电子所等在超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究中取得进展（图）
微电子 抗辐射碳纳米管器件 电路研究
2022/11/26
新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强，是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一，并具有较强的空间应用前景。
中国科学院微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学教授张志勇、中科院国家空间科学中心副研究员陈睿合作，研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力（图1）。研究显示，局域底...
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
中国科学院微电子所在超强抗辐射碳纳米管器件与电路方向取得重要进展（图）
抗辐射碳 纳米管器件 电路方向
2023/8/21
微电子所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学张志勇教授、中科院空间中心陈睿副研究员合作，研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力（图1）。研究显示，局域底栅碳纳米管晶体管和静态随机存储器在受到2.8×1013 MeV/g的位移损伤辐照后，仍可承受2 Mrad（Si）的电离总剂量辐照和104 MeV·cm2/mg的等效激光单粒子辐照，其综合抗辐...