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搜索结果:
1-1
共查到
“
理学 Mg2Si
”
相关记录1条 . 查询时间(0.078 秒)
退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备
Mg2Si
薄膜的影响
磁控溅射
原位退火
交替溅射
退火温度
溅射时间
2022/3/25
采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备
Mg2Si
薄膜。首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层
Si
、
Mg
薄膜，冷却至室温后原位退火4h，制备出一系列
Mg2Si
薄膜样品。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征，讨论了退火温度和溅射
Si
/
Mg
/
Si
/
Mg
时间对制备
Mg2Si
薄膜的影响。结果表明，采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层
Si
...
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