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The Extreme Ranked Set Sampling (ERSS), which was introduced by Samawi et al. (1996), is a modification of the Ranked Set Sampling (RSS) of McIntyre (1952). In this paper, we study the power of a set ...
摘要 TFEL器件中绝缘层与发光层之间的界面对电荷的输运特性、发光特性等有着十分重要的作用。本文通过XPS的测量, 分析了新结构器件中SrS/α-SiO~2界面的各成分的芯电子能谱的变化和深度分布, 发现Sr^2^+向SiO~2中扩散较深并以氧化物的形态存在,介质层以SiO~x(x=1.65~1.70)的形态存在。这些丰富的界面态有可能成为TFEL器件的初电子源而对SrS:Ce发光有贡献。

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