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搜索结果: 1-15 共查到理论物理学 GaAs相关记录26条 . 查询时间(0.098 秒)
Nuclear spin polarization dynamics are measured in optically pumped individual GaAs/AlGaAs interface quantum dots by detecting the time-dependence of the Overhauser shift in photoluminescence (PL) spe...
The thermalized positron charge distribution is calculated as a function of pressure variation in GaAs. Calculations have been carried out via the independent particle method (IPM) coupled with the em...
2006Vol.45No.5pp.945-949DOI: Properties of Excitons Bound to Neutral Donors in GaAs-AlxGa1-xAs Quantum-Well Wires DI Bing and LIU Jian-Jun College of Physics, Hebei Nor...
2005Vol.44No.5pp.941-947DOI: Coherent Interband and Intersubband Dynamics in Terahertz-Driven GaAs Quantum Wells MI Xian-Wu,1,2 PENG Jin-Zhang,1 LI De-Jun,1 and ZHAO He-Ping1 ...
2005Vol.44No.4pp.727-730DOI: Real-Code Genetic Algorithm for Ground State Energies of Hydrogenic Donors in GaAs-(Ga,Al)As Quantum Dots YAN Hai-Qing,1 TANG Chen,1,2 LIU Ming,1 and...
2003Vol.39No.4pp.473-476DOI: Adsorption of Fe on GaAs (100) Surface WEI Shu-Yi, MA Li, WANG Jian-Guang, and WANG Tian-Xing College of Physics & Information Engineering, ...
2005Vol.43No.2pp.333-336DOI: Vibration Spectrums of Polar Interface Optical Phonons in GaAs/AlAs Cylindrical Quantum Dots ZHANG Li School of Physics, Peking University, ...
近日,由我所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”顺利通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握,应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In(Ga)As5~10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块,选择使用导电微悬背,对In(Ga)...
本所博士后李天信同志提出的“In(Ga)As/GaAS量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”获得2003年上海市纳米专项基金资助。李天信同志提出将近年来发展很快的纳米表征技术--扫描探针显微术引入到半导体表面量子点的局部电特性测量领域;并利用合适的离子注入实现对量子点的物性调控以获得材料光电性能的提高,为新型的光电子器件提供性能优化的实验基础。
期刊信息 篇名 Structure and Photoluminescence Study of InGaAs/GaAs Quantum Dots Grown via Cycled (InAs)n/(GaAs)n Monolayer Deposition 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 Jun He*,Xiao-Dong Wang,Bo Xu,Zhanguo Wang and Sheng-Ch...
期刊信息 篇名 A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 X.Q. Meng*,P. Jin,B. Xu,C.M. Li,C.Y. Zhang,Z.G. Wang 第一作者单位 Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences 刊物名称 J. C...
期刊信息 篇名 Structural and photoluminescence properties of upper In(Ga)As quantum dots on different seed layer with thin GaAs spacer layer 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 J.He*,Y.C.Zhang,B.Xu,Z.G.Wang 第一作者单位 Institute ...
期刊信息 篇名 High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080nm 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 Hui-Yun Liu*,Bo Xu,Yong-Qiang Wei,Ding Ding,Jia-Jun Qian,Qin Han,Ji-Ben Liang,and Zhan-Guo Wang 第一作者单位 Inst...
期刊信息 篇名 Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination layer 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 Z.Y. Zhang*,B. Xu,P. Jin,X.Q. Meng,Ch.M. Li,X.L.Ye,Z.G. Wang 第...
期刊信息 篇名 Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 语种 英文 撰写或编译 撰写 作者 Z.Y. Zhang*,B. Xu,P. Jin,X.Q. Meng,Ch.M. Li,X.L.Ye,D.B. Li Z.G. Wang 第一作者单位 I...

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