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高能物理学 SiC
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6H-
SiC
高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
6H-SiC
多粒子蒙特卡罗研究
各向异性
漂移速度
平均能量
电子碰撞电离率
2007/12/9
采用非抛物性能带模型,对6H-
SiC
高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明:温度为296 K时,电子横向漂移速度在电场为2.0×104 V/cm处偏离线性区,5.0×105 V/cm处达到饱和.由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为1.95×107 cm/s,纵向为6.0×106 cm/s,各向异性较为显著.当电场小于1.0×106 V/c...
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